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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Crystal Phase- and Orientation-Dependent Electrical Transport Properties of InAs Nanowires 期刊论文 NANO LETTERS, 2016 Fu, Mengqi; Tang, Zhiqiang; Li, Xing; Ning, Zhiyuan; Pan, Dong; Zhao, Jianhua; Wei, Xianlong; Chen, Qing 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 InAs nanowires  electrical properties  crystal phase  crystal orientation  nanomanipulation  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  PERFORMANCE  DIAMETER  MOBILITY  HETEROSTRUCTURES  SUPERCONDUCTOR  ELECTRONICS  WURTZITE  SURFACES  MOSFETS   Coherent Charge Transport in Ballistic InSb Nanowire Josephson Junctions 期刊论文 SCIENTIFIC REPORTS, 2016 Li, S.; Kang, N.; Fan, D. X.; Wang, L. B.; Huang, Y. Q.; Caroff, P.; Xu, H. Q. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 SUPERCONDUCTING WEAK LINKS  FABRY-PEROT INTERFERENCE  ENERGY-GAP STRUCTURE  CARBON NANOTUBES  MAJORANA FERMIONS  QUANTUM DOTS  SUPERCURRENT  CONDUCTANCE  DEVICES  TRANSISTORS   Free-Standing Two-Dimensional Single-Crystalline InSb Nanosheets 期刊论文 NANO LETTERS, 2016 Pan, D.; Fan, D. X.; Kang, N.; Zhi, J. H.; Yu, X. Z.; Xu, H. Q.; Zhao, J. H. 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03 Free-standing layered InSb  single-crystalline  mobility  molecular-beam epitaxy  BIAS CONDUCTANCE PEAK  NANOWIRE HETEROSTRUCTURES  HYBRID DEVICE  QUANTUM DOTS  SEMICONDUCTOR  SPINTRONICS  TRANSISTORS  EPITAXY  FUTURE  GROWTH   Schottky barrier heights at the interfaces between pure-phase InAs nanowires and metal contacts 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016 Feng, Boyong; Huang, Shaoyun; Wang, Jiyin; Pan, Dong; Zhao, Jianghua; Xu, H. Q. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  DIAMETER   Selective-Area MOCVD Growth and Carrier-Transport-Type Control of InAs(Sb)/GaSb Core-Shell Nanowires 期刊论文 NANO LETTERS, 2016 Ji, Xianghai; Yang, Xiaoguang; Du, Wenna; Pan, Huayong; Yang, Tao 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/12/03 Core-shell nanowires  InAs(Sb)/GaSb  selective-area growth  crystal structure  metal-organic chemical vapor deposition  electrical properties  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INASSB NANOWIRES  SI  SILICON  AU  ARRAYS