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半导体器件制造方法 专利
专利号: US9418835, 申请日期: 2016-08-16, 公开日期: 2016-03-26
作者:  刘金彪;  李俊峰;  王桂磊
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一种制备原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的方法 专利
专利号: US9418843, 申请日期: 2016-08-16, 公开日期: 2014-07-24
作者:  李冬梅;  陈鑫;  梁圣法;  牛洁斌;  张培文
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一种SICM的幅度调制成像模式扫描装置和方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN105842484A, 申请日期: 2016-08-10,
作者:  刘连庆;  李鹏;  李广勇;  王越超;  杨洋
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半导体器件制造方法 专利
专利号: US9385212, 申请日期: 2016-07-05, 公开日期: 2016-03-10
作者:  秦长亮;  马小龙;  王桂磊;  朱慧珑;  殷华湘
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CMOS器件及其制造方法 专利
专利号: US9373622, 申请日期: 2016-06-21, 公开日期: 2016-03-24
作者:  杨红;  张青竹;  徐秋霞;  殷华湘
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半导体器件制造方法 专利
专利号: US9337102, 申请日期: 2016-05-10, 公开日期: 2016-03-17
作者:  王桂磊;  殷华湘;  秦长亮;  马小龙;  朱慧珑
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一种快速高效吸附汞离子的载体及其细菌表面展示工程菌和应用 专利
专利号: 2013102744990, 申请日期: 2016-04-13,
作者:  张卫卫;  陈令新;  殷堃
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一种叠层锂离子电池电极结构及其喷墨打印制备方法 专利
专利类型: 发明授权, 专利号: CN105322129B, 申请日期: 2016-02-10, 公开日期: 2018-06-29
作者:  程晓鼎;  刘金鑫;  朱云龙;  张磊;  库涛
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一种叠层锂离子电池电极结构及其喷墨打印制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN105322129A, 申请日期: 2016-02-10,
作者:  朱云龙;  张磊;  刘金鑫;  马连博;  库涛
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一种叠层锂离子电池电极结构及其喷墨打印制备方法 专利
申请日期: 2016-02-10, 公开日期: 2018-06-29
作者:  朱云龙;  张磊;  程晓鼎;  库涛;  刘金鑫
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