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Recrystallization of He-ion implanted 6H-SiC upon annealing 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2015, 卷号: 345, 页码: 53-57
作者:  Li, B. S.;  Du, Y. Y.;  Wang, Z. G.
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Optical Properties of Arsenic-Doped MgZnO Films Treated by Thermal Annealing 期刊论文
Nanoscience and Nanotechnology Letters, 2015, 卷号: 7, 期号: 10, 页码: 817-821
作者:  Gao, X.;  S. Xing;  J. L. Tang;  D. Fang;  X. Fang
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/07/15
Mechanism of Excellent Photoelectric Characteristics in Mixed-Phase ZnMgO Ultraviolet Photodetectors with Single Cutoff Wavelength 期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2015, 卷号: 7, 期号: 37, 页码: 20600-20606
作者:  Fan, M. M.;  K. W. Liu;  X. Chen;  X. Wang;  Z. Z. Zhang
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/07/15
Photoluminescence spectra of 1 MeV electron beam irradiated In0.53Ga0.47As/InP quantum well and bulk materials 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 15, 页码: 252-258
作者:  Ma, LY (Ma Li-Ya);  Li, YD (Li Yu-Dong);  Guo, Q (Guo Qi);  Ai, EK (Ai Er-Ken);  Wang, HJ (Wang Hai-Jiao)
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Synthesis of semimetal A(3)Bi (A = Na, K) thin films by molecular beam epitaxy 期刊论文
Applied Surface Science, 2015, 卷号: 327, 页码: 213-217
J.; Guo Wen, H.; Yan, C. H.; Wang, Z. Y.; Chang, K.; Deng, P.; Zhang, T.; Zhang, Z. D.; Ji, S. H.; Wang, L. L.; He, K.; Ma, X. C.; Chen, X.; Xue, Q. K.
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2015/05/08
Abnormal InGaN growth behavior in indium-desorption regime in metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 409, 期号: 0, 页码: 51-55
作者:  Zhou, K(周堃);  Ikeda, M;  Liu, JP(刘建平);  Zhang, SM(张书明);  Li, ZC(李增成)
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2015/02/03
Influence of substrate surface defects on the homoepitaxial growth of GaN (0001) by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 416, 页码: 7
作者:  Zhou, K(周堃);  Liu, JP(刘建平);  Ikeda, M;  Zhang, SM(张书明);  Li, DY(李德尧)
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/12/31
Growth condition optimization and mobility enhancement through prolonging the GaN nuclei coalescence process of AlGaN/AlN/GaN structure 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 4
作者:  He, XG;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Chen, P
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/12/31
Progress in bulk GaN growth 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 16
作者:  Xu, K(徐科);  Wang, JF(王建峰);  Ren, GQ(任国强)
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Evolution of the surface morphology of AlN epitaxial film by HVPE 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 409, 期号: 0, 页码: 100-104
作者:  Gong, XJ(弓晓晶);  Xu, K(徐科);  Huang, J(黄俊);  Liu, T;  Ren, GQ(任国强)
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