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学位论文 [2]
会议论文 [1]
发表日期
2015 [21]
学科主题
工业应用、换热器及其... [1]
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共21条，第1-10条
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发表日期：2015
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少量Sb的加入对Bi-In-Sn合金性能影响的探究
会议论文
2015年中国工程热物理学会传热传质学学术年会, 大连, 2015
作者:
李静
;
张定
;
马平
;
吴少如
收藏
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浏览/下载：39/0
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提交时间：2015/12/30
Bi-In-Sn合金
Sb
金属间化合物InSb
相间结构
熔点
Toward high thermoelectric performance p-type FeSb2.2Te0.8via in situ formation of InSb nanoinclusions
期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2015, 卷号: 3, 期号: 32, 页码: 8372-8380
作者:
Tan, Gangjian
;
Chi, Hang
;
Liu, Wei
;
Zheng, Yun
;
Tang, Xinfeng*（唐新峰）
收藏
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浏览/下载：2/0
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提交时间：2019/12/04
Investigation of Hole Mobility in Strained InSb Ultrathin Body pMOSFETs
期刊论文
ieee电子器件汇刊, 2015
Chang, Pengying
;
Liu, Xiaoyan
;
Zeng, Lang
;
Wei, Kangliang
;
Du, Gang
收藏
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浏览/下载：3/0
|
提交时间：2015/11/10
Hole mobility
InSb
modeling
MOSFETs
scattering
self-consistent
six-band k . p
ultrathin body (UTB)
V COMPOUND SEMICONDUCTORS
INVERSION-LAYER MOBILITY
DEFORMATION POTENTIALS
SURFACE ORIENTATION
QUANTUM-WELLS
ON-INSULATOR
BAND
THICKNESS
PHYSICS
Column-level passive sample and column-shared active readout structure for high speed, low power ROIC
期刊论文
electronics letters, 2015
Wang Guannan
;
Lu Wengao
;
Liu Dahe
;
Zhang Yacong
;
Chen Zhongjian
收藏
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浏览/下载：3/0
|
提交时间：2015/11/15
low-power electronics
integrated circuit design
readout electronics
operational amplifiers
indium compounds
infrared detectors
CMOS integrated circuits
column-level passive sample structure
column-shared active readout structure
low power ROIC
high speed low noise readout IC
column capacitive transimpedance amplifier
CTIA
medium-scale array design
power consumption
cooled infrared detector
CMOS process
size 0
35 mum
InSb
Electronic structures of [001]- and [111]-oriented InSb and GaSb free-standing nanowires
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015
Liao, Gaohua
;
Luo, Ning
;
Yang, Zhihu
;
Chen, Keqiu
;
Xu, H. Q.
收藏
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浏览/下载：6/0
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提交时间：2017/12/03
FIELD-EFFECT-TRANSISTORS
BIAS CONDUCTANCE PEAK
INTERLAYER DIFFUSION
HYBRID DEVICE
QUANTUM DOTS
SEMICONDUCTORS
PARAMETERS
EPITAXY
GAAS
Hole mobility enhancements in strained InxGa1-xSb heterostructure p-channel MOSFETs
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015
Chang, Pengying
;
Liu, Xiaoyan
;
Zeng, Lang
;
Du, Gang
收藏
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浏览/下载：3/0
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提交时间：2017/12/03
V COMPOUND SEMICONDUCTORS
ON-INSULATOR
SI
PHYSICS
ALLOYS
GE
Hole mobility in InSb-based devices: Dependence on surface orientation, body thickness, and strain
其他
2015-01-01
Chang, Pengying
;
Liu, Xiaoyan
;
Zeng, Lang
;
Du, Gang
收藏
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浏览/下载：4/0
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提交时间：2017/12/03
Surface orientation
Strain
Hole mobility
InSb
III-V semiconductor
Modeling
V COMPOUND SEMICONDUCTORS
DEFORMATION POTENTIALS
INVERSION-LAYERS
Assessment of hole mobility in strained InSb, GaSb and InGaSb based ultra-thin body pMOSFETs with different surface orientations
其他
2015-01-01
Chang, Pengying
;
Liu, Xiaoyan
;
Du, Gang
;
Zhang, Xing
收藏
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浏览/下载：2/0
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提交时间：2017/12/03
Formation of long single quantum dots in high quality InSb nanowires grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
NANOSCALE, 2015
Fan, Dingxun
;
Li, Sen
;
Kang, N.
;
Caroff, Philippe
;
Wang, L. B.
;
Huang, Y. Q.
;
Deng, M. T.
;
Yu, C. L.
;
Xu, H. Q.
收藏
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浏览/下载：5/0
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提交时间：2017/12/03
BIAS CONDUCTANCE PEAK
SEMICONDUCTOR NANOWIRE
HYBRID DEVICE
GIANT
SPINS
Gate-all-around Field-Effect Transistors with InSb Nanowires
其他
2015-01-01
Wei Pan
;
Shaoyun Huang
;
Can Li
;
Hongqi Xu
收藏
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浏览/下载：3/0
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提交时间：2017/12/03
In Sb nanowire
transistor
gate-all-around
on/off ratio
In Sb nanowire
transistor
gate-all-around
on/off ratio
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