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石墨烯与GaN材料的接触研究 学位论文
硕士: 中国科学院大学, 2015
作者:  徐昌一
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LED on silicon substrate using zinc-sulfide as buffer layer 专利
专利号: US9159869, 申请日期: 2015-10-13, 公开日期: 2015-10-13
作者:  CHEN, ZHEN
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24
Laser package having multiple emitters configured on a support member 专利
专利号: US20150211724A1, 申请日期: 2015-07-30, 公开日期: 2015-07-30
作者:  GOUTAIN, ERIC;  RARING, JAMES W.;  RUDY, PAUL;  HUANG, HUA
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31
Light-emitting diode and method for preparing the same 专利
专利号: US9087933, 申请日期: 2015-07-21, 公开日期: 2015-07-21
作者:  XU, JIN;  WANG, JIANGBO;  LIU, RONG
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/12/24
Semiconductor device 专利
专利号: US9041197, 申请日期: 2015-05-26, 公开日期: 2015-05-26
作者:  MOTODA, TAKASHI
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13
宽禁带半导体材料的光电特性研究 学位论文
博士: 中国科学院大学, 2015
作者:  王丹丹
收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2015/11/30
Structural basis of the substrate specificity of the FPOD/FAOD family revealed by fructosyl peptide oxidase from Eupenicillium terrenum 期刊论文
ACTA CRYSTALLOGRAPHICA SECTION F-STRUCTURAL BIOLOGY COMMUNICATIONS, 2015, 卷号: 71, 页码: 381-387
作者:  Gan, Weiqiong;  Gao, Feng;  Xing, Keke;  Jia, Minze;  Liu, Haiping
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2016/06/23
A facile route to realize ultraviolet emission in a nano-engineered SnO2-based light-emitting diode 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2015, 卷号: 48, 期号: 46, 页码: 7
作者:  Huang, Y.;  Y. F. Li;  B. Yao;  Z. H. Ding;  R. Deng
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/07/15
Influence of substrate surface defects on the homoepitaxial growth of GaN (0001) by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 416, 页码: 7
作者:  Zhou, K(周堃);  Liu, JP(刘建平);  Ikeda, M;  Zhang, SM(张书明);  Li, DY(李德尧)
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/12/31
Progress in bulk GaN growth 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 16
作者:  Xu, K(徐科);  Wang, JF(王建峰);  Ren, GQ(任国强)
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/12/31

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