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| 氮化镓基激光二极管及其制备方法 专利
专利号: CN105048286A, 申请日期: 2015-11-11, 公开日期: 2015-11-11
作者: 冯向旭; 张洁 ; 叶孟欣; 刘建明; 徐宸科
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| AlGaN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3+BCB passivation 期刊论文
Chinese Physics B, 2015
作者: Ma XH(马晓华); Zheng YK(郑英奎); Pang L(庞磊); Wang XH(王鑫华); Huang S(黄森)
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2016/10/28 |
| High RF Performance Enhancement-Mode Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs Fabricated With High-Temperature Gate-Recess Technique 期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2015
作者: Huang S(黄森)
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2016/05/26 |
| Laser package having multiple emitters configured on a support member 专利
专利号: US20150211724A1, 申请日期: 2015-07-30, 公开日期: 2015-07-30
作者: GOUTAIN, ERIC; RARING, JAMES W.; RUDY, PAUL; HUANG, HUA
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极结构的AlGaN基紫外LEDs设计 期刊论文
2015
袁照容; 杨旭; 李金钗; 李书平; 周颖慧; 康俊勇
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| 低导通电阻大阈值电压常关型AlGaN/GaN基HEMT器件制备研究 项目
2015-
作者: 黄火林
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/12/09 |
| Robust SiNx/AlGaN Interface in GaN HEMTs Passivated by Thick LPCVD-Grown SiNx Layer 期刊论文
IEEE Electron Device Letter, 2015
作者: Chen XJ(陈晓娟); Wang XH(王鑫华); Huang S(黄森); Zheng YK(郑英奎); Wei K(魏珂)
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2016/05/26 |
| RobustSiNx/AlGaN Interface in GaN HEMTs Passivated by Thick LPCVD-Grown SiNx Layer 期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2015
作者: Wang XH(王鑫华); Huang S(黄森)
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2016/05/26 |
| Low frequency noise measurements as a characterization tool for reliability assessment in AlGaN/GaN high-electron-mobilityTransistors (HEMTs) 会议论文
作者: Liu XY(刘新宇); Wei K(魏珂); Jin Z(金智); Zhao M(赵妙)
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2016/06/15 |
| Short channel effect of AlGaN/GaN HEMT with a super-lattice barrier layer 会议论文
作者: Liu XY(刘新宇); Liu GG(刘果果); Huang S(黄森); Wang XH(王鑫华)
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2016/06/15 |
