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| 一种半导体结构及其制造方法 专利
专利号: CN201110298318.9, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2013-04-10
作者: 尹海洲 ; 朱慧珑; 骆志炯
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| 氧化物薄膜晶体管及其制备方法和反相器及其制备方法 专利
专利号: CN104992981A, 申请日期: 2015-10-21, 公开日期: 2015-10-21
作者: 曹鸿涛; 王妹; 梁凌燕; 张胜男; 罗浩
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| 光照稳定性非晶态金属氧化物TFT器件以及显示器件 专利
专利号: CN201110257633.7, 申请日期: 2015-09-23, 公开日期: 2013-03-13
作者: 董立军; 殷华湘; 王玉光; 陈大鹏
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| 电力系统绝缘子污闪事故仿真分析 期刊论文
2015, 2015
李国欣; 李剑; 许允之; 郭西进
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| 漏电感可调的变压器 其他
2015-09-02, 2015-09-02
邓先明; 谭国俊; 汪文文; 张宇宁; 陈剑
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2017/06/15 |
| 应用于染料敏化太阳电池的ZnO与TiO_2纳米线(管)阵列的比较研究（英文） 期刊论文
2015, 2015
顾修全; 强颖怀; 赵宇龙
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2017/06/15
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| 利用氧化锌量子阱混杂制作的半导体激光器及其制作方法 专利
专利号: CN104752954A, 申请日期: 2015-07-01, 公开日期: 2015-07-01
作者: 林涛; 张浩卿; 孙航; 郭恩民; 孙锐娟
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| 宽禁带半导体材料的光电特性研究 学位论文
博士: 中国科学院大学, 2015
作者: 王丹丹
收藏 | 浏览/下载：85/0 | 提交时间：2015/11/30
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