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| 一种调节微下拉晶体生长温度梯度的装置及方法 专利
申请日期: 2015-12-02, 公开日期: 2015-12-02
作者: 陶绪堂; 贾志泰; 原东升; 李阳; 张健
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| 一种调节微下拉晶体生长温度梯度的装置及方法 专利
申请日期: 2015-12-02, 公开日期: 2015-12-02
作者: 陶绪堂; 贾志泰; 原东升; 李阳; 张健
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| 一种籽晶温度梯度方法生长碳化硅单晶的装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: ZL201210169399.7, 申请日期: 2015-11-04, 公开日期: 2012-05-28
作者: 陈启生 ; 颜君毅; 姜燕妮
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| 多叠层隧道级联半导体激光器 专利
专利号: CN102651536B, 申请日期: 2015-08-19, 公开日期: 2015-08-19
作者: 陈宏泰; 林琳; 车相辉; 王晶; 位永平
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| 高温高压制备Cr~(2+):ZnSe单晶及其光学性质 期刊论文
中国光学, 2015, 期号: 04, 页码: 615-620
作者: 王云鹏; 王飞; 赵东旭
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| 半导体纳米材料的晶体结构缺陷与阴极射线荧光性能研究 会议论文
刘宝丹; 刘青云; 杨兵; 姜辛
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| 高铝粉煤灰水热法提取氧化铝工艺的基础研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者: 回俊博
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| 晶硅生长过程中的熔体流动及其磁场调控 科普文章
2015
作者: 刘立军;中国科学院老科技工作者协会工程力学分会
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| 外加电场对单晶高温合金生长取向偏离的影响 会议论文
冯小辉; 李应举; 杨院生
收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2016/04/20
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| 含孤立B-O基团硼酸盐化合物的合成、结构及性质研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者: 刘璐
收藏 | 浏览/下载：42/0 | 提交时间：2015/06/15
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