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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：近代物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Micro-Raman spectroscopy characterization of silicon with different structures irradiated with energetic Bi-ions 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2015, 卷号: 365, 页码: 123-127 作者:  Wang, Dong;  Gao, Xing;  Shen, Tielong;  Wei, Kongfang;  Sheng, Yanbin 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2018/05/31 Heavy-ion irradiation  Silicon  Raman spectra  Microstructure   Structural damage in InGaN induced by MeV heavy ion irradiation 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2015, 卷号: 356, 期号: 356, 页码: 53-56 作者:  Zhang, L. M.;  Zhang, C. H.;  Wang, T. S.;  Zhao, J. T.;  Hu, P. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/10/15 InGaN  Ion irradiation  Structural damage   Evaluation of Mechanical Properties Variations for Kr Ion-Irradiated 6H-SiC by Nanoindentation Methods 期刊论文 INTERNATIONAL JOURNAL OF APPLIED CERAMIC TECHNOLOGY, 2015, 卷号: 12, 页码: 390-398 作者:  Yao, Cunfeng;  Yang, Tao;  Zang, Hang;  He, Chaohui;  Guo, Daxi 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/07/05 Recrystallization of He-ion implanted 6H-SiC upon annealing 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2015, 卷号: 345, 页码: 53-57 作者:  Li, B. S.;  Du, Y. Y.;  Wang, Z. G. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/07/05 Ion implantatIon  Annealing  Recrystallization  Bubbles  Transmission Electron Microscopy