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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Low-temperature solution-processed high-k ZrTiOx dielectric films for high-performance organic thin film transistors 期刊论文 SYNTHETIC METALS, 2015, 卷号: 210, 页码: 282-287 作者:  Zhang, Qian;  Xia, Guodong;  Xia, Wenwen;  Zhou, Ji;  Wang, Sumei 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/17 Thin films  Organic field effect transistors  Dielectric  Solution  process   Low-temperature solution-processed alumina dielectric films for low-voltage organic thin film transistors 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2015, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 6639-6646 作者:  Zhang, Lishu;  Zhang, Qian;  Xia, Guodong;  Zhou, Ji;  Wang, Sumei 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/17 Effects of rapid thermal annealing on the electrical properties and the strain of the AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors with Ni/Au gate electrodes 期刊论文 APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2015, 卷号: 121, 期号: 3, 页码: 1271-1276 作者:  Zhao, Jingtao;  Lin, Zhaojun;  Chen, Quanyou;  Yang, Ming;  Cui, Peng 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/17 Influence of sapphire substrate thickness on the characteristics of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2015, 卷号: 85, 页码: 43-49 作者:  Yang, Ming;  Lin, Zhaojun;  Zhao, Jingtao;  Wang, Yutang;  Li, Zhiyuan 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/17 AlGaN/AlN/GaN HFETs  Sapphire substrate thickness  Strain   A method to determine the strain of the AlGaN barrier layer under the gate in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2015, 卷号: 79, 页码: 21-28 作者:  Zhao, Jingtao;  Lin, Zhaojun;  Luan, Chongbiao;  Chen, Quanyou;  Yang, Ming 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/17 AlGaN/AlN/GaN HFETs  Strain  Ohmic contact   Improvement of switching characteristics by substrate bias in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field effect transistors 期刊论文 Chinese Physics B, 2015, 卷号: 24, 期号: 11, 页码: 410-413 作者:  Yang M(杨铭);  Lin ZJ(林兆军);  Zhao JT(赵景涛);  Wang YT(王玉堂);  Li ZY(李志远) 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/17 AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors(HFETs)  switching characteristics  substrate bias   A study of the impact of gate metals on the performance of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 卷号: 107, 期号: 11 作者:  Zhao, Jingtao;  Lin, Zhaojun;  Chen, Quanyou;  Yang, Ming;  Cui, Peng 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/17 Pyrene Derivate Functionalized with Acetylene for Organic Field Effect Transistors 期刊论文 化学物理学报, 2015, 期号: 06 作者:  Zuo-qin Liang[1];  Jie Zhou[1];  Xiao-mei Wang[1];  Xu-tang Tao[2] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/17 Performance regeneration of InGaZnO transistors with ultra-thin channels 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 卷号: 106, 期号: 9 作者:  Zhang, Binglei;  Li, He;  Zhang, Xijian;  Luo, Yi;  Wang, Qingpu 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/17 Pyrene Derivate Functionalized with Acetylene for Organic Field Effect Transistors 期刊论文 化学物理学报（英文版）, 2015, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 767-770 作者:  Liang, Zuo-qin;  Zhou, Jie;  Wang, Xiao-mei;  Tao, Xu-tang 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/17 Pyrene  Acetylene  Organic field effect transistors  Carrier mobility  On/off ratio