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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 CCD空间累积辐射效应及损伤机理研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2015 作者:  文林 收藏  |  浏览/下载：111/0  |  提交时间：2015/06/15 电荷耦合器件  电离总剂量效应  位移效应  损伤机理  敏感参数  基本单元   静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2015 作者:  郑齐文 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2015/06/15 大规模集成电路  总剂量辐射  静态随机存储器  损伤机制  试验方法   InGaAs量子阱光电材料的辐射效应研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015 作者:  王海娇 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2015/06/15 InGaAs/InP 量子阱  电子辐照  质子辐照  γ 辐照  辐射损伤  光致发   SiGe HBT单粒子效应敏感区域分布与加固设计研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015 作者:  李培 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2015/06/15 不同结构SiGe HBT  单粒子效应  三维数值模拟仿真  激光微束试验  伪集电极加固   Reliability of partially-depleted silicon-on-insulator n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor under the ionizing radiation environment 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 8 作者:  Zhou, H (Zhou Hang);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Guo, Q (Guo Qi);  Ren, DY (Ren Di-Yuan) 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/01/26 Reliability  Silicon-on-insulator N-channel Metal-oxide-semiconductor Field-effect Transistor  Total Ionizing Dose Effect  Electrical Stress   Simulation and sesign of single event effect radiation hardening for SiGe heterojunction bipolar transistor 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 11 作者:  Li, P (Li Pei);  Guo, HX (Guo Hong-Xia);  Guo, Q (Guo Qi);  Wen, L (Wen Lin);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/07/11 SiGe heterojunction bipolar transistor  single event effect  hardening design  dummy collector