×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
北京大学 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2015 [4]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
发表日期:2015
专题:北京大学
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Rational Design of Small Molecular Donor for Solution-Processed Organic Photovoltaics with 8.1% Efficiency and High Fill Factor via Multiple Fluorine Substituents and Thiophene Bridge
期刊论文
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2015
Wang, Jin-Liang
;
Yin, Qing-Ru
;
Miao, Jing-Sheng
;
Wu, Zhuo
;
Chang, Zheng-Feng
;
Cao, Yue
;
Zhang, Ru-Bo
;
Wang, Jie-Yu
;
Wu, Hong-Bin
;
Cao, Yong
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2017/12/03
molecular design
multiple fluorine substituents
organic solar cells
small molecule
thiophene spacer
HETEROJUNCTION SOLAR-CELLS
POWER-CONVERSION EFFICIENCY
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
OPEN-CIRCUIT VOLTAGE
BENZODITHIOPHENE UNIT
CONJUGATED POLYMERS
BUILDING-BLOCK
SIDE-CHAINS
PERFORMANCE
INDACENODITHIOPHENE
Charge trapping at the MoS2-SiO2 interface and its effects on the characteristics of MoS2 metal-oxide-semiconductor field effect transistors
期刊论文
应用物理学快报, 2015
Guo, Yao
;
Wei, Xianlong
;
Shu, Jiapei
;
Liu, Bo
;
Yin, Jianbo
;
Guan, Changrong
;
Han, Yuxiang
;
Gao, Song
;
Chen, Qing
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2015/11/10
MONO LAYER MOS2
MONOLAYER MOS2
MOLYBDENUM-DISULFIDE
MEMORY DEVICES
SURFACE-STATES
HYSTERESIS
TRANSITION
SILICON
Exploring atomic defects in molybdenum disulphide monolayers
期刊论文
nature communications, 2015
Hong, Jinhua
;
Hu, Zhixin
;
Probert, Matt
;
Li, Kun
;
Lv, Danhui
;
Yang, Xinan
;
Gu, Lin
;
Mao, Nannan
;
Feng, Qingliang
;
Xie, Liming
;
Zhang, Jin
;
Wu, Dianzhong
;
Zhang, Zhiyong
;
Jin, Chuanhong
;
Ji, Wei
;
Zhang, Xixiang
;
Yuan, Jun
;
Zhang, Ze
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/11/13
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
LARGE-AREA
VALLEY POLARIZATION
TRANSPORT-PROPERTIES
MOS2 TRANSISTORS
HIGH-QUALITY
GRAPHENE
MOBILITY
GROWTH
Charge Trapping Model for Temporal Threshold Voltage Shift in a-IGZO TFTs Considering Variations of Carrier Density in Channel and Electric Field in Gate Insulator
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015
Wang, Lisa Ling
;
He, Hongyu
;
Liu, Xiang
;
Deng, Wei
;
Zhang, Shengdong
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2017/12/03
Channel carrier density
oxide electric field
thin-film transistors (TFTs)
threshold voltage shift
THIN-FILM TRANSISTORS
BIAS-STRESS
CONDUCTION
INSTABILITIES
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace