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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2015 [1]
学科主题
半导体器件 [1]
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发表日期:2015
学科主题:半导体器件
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Excellent ESD Resistance Property of InGaN LEDs With Enhanced Internal Capacitance
期刊论文
ieee photonics technology letters, 2015, 卷号: 27, 期号: 19, 页码: 2004-2006
Panpan Li
;
Hongjian Li
;
Yongbing Zhao
;
Junjie Kang
;
Zhicong Li
;
Zhiqiang Liu
;
Xiaoyan Yi
;
Jinmin Li
;
Guohong Wang
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提交时间:2016/04/15
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