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一种InP基中红外InAsBi量子阱结构 专利
专利号: CN104104012A, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2014-10-15
作者: 顾溢; 张永刚; 王庶民

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高峰值功率808nm垂直腔面发射激光器列阵 期刊论文
发光学报, 2014, 期号: 9, 页码: 1098-1103
张金胜; 刘晓莉; 崔锦江; 宁永强; 朱洪波; 张金龙; 张星; 王立军

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纳米ZnO在天然矿物颗粒作用下的化学形态转化 会议论文
中国化学会第29届学术年会——第20分会：环境与健康, 中国北京, 2014-08-04
作者: 吕继涛; 张淑贞; 王松山

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Quantum cascade laser element 专利
专利号: EP2747221A1, 申请日期: 2014-06-25, 公开日期: 2014-06-25
作者: HIRAYAMA, HIDEKI; LIN, TSUNG-TSE

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一种半导体激光器外延片及其制造方法 专利
专利号: CN103715605A, 申请日期: 2014-04-09, 公开日期: 2014-04-09
作者: 许并社; 李学敏; 马淑芳; 田海军; 吴小强

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