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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2014     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Evolutionary search for new high-k dielectric materials: methodology and applications to hafnia-based oxides 期刊论文 ACTA CRYSTALLOGRAPHICA SECTION C-CRYSTAL STRUCTURE COMMUNICATIONS, 2014, 卷号: 70, 页码: 76-84 作者:  Zeng, Qingfeng;  Oganov, Artem R.;  Lyakhov, Andriy O.;  Xie, Congwei;  Zhang, Xiaodong 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/07/05 Computational Materials Discovery  Hafnia-based Oxides  Dielectric Materials   Characterization of LaxHfyO gate dielectrics in 4H-SiC MOS capacitor 会议论文 作者:  Xia, Jing Hua;  Martin, David M.;  Suvanam, Sethu Saveda;  Zetterling, Carl Mikael;  O¨stling, Mikael 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/03 4H-SiC  High quality  High- k  High- k gate dielectrics  Nano-laminated films  Post deposition annealing  SiC MOS capacitor   高κ栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究 期刊论文 北京大学学报 自然科学版, 2014 李哲; 吕垠轩; 何燕冬; 张钢刚 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/11/13 正偏置温度不稳定性(PBTI)  高介电常数栅介质  绝缘衬底上的硅型金属氧化层半导体场效应晶体管(SOI MOSFET)  退化  应力诱导漏电流(SILC)  PBTI  high-κ gate dielectrics  SOI MOSFET  degradation  SILC   Deposition and Determination of Band Alignment of Al2O3/Si Gate Stacks by New CVD Chemistry 期刊论文 ASIAN JOURNAL OF CHEMISTRY, 2014, 卷号: Vol.26 No.5, 页码: 1563-1564 作者:  Sun,Zhaoqi;  Song,Xueping;  Chen,Xuefei;  He,Gang;  Deng,Bin 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/22 High-k  gate  dielectrics  Band  alignment  Precursor  Thermal  stability   Annealing temperature dependence on the structural and optical properties of sputtering-grown high-k HfO2 gate dielectrics 期刊论文 Journal of Materials Science. Materials in Electronics, 2014, 卷号: Vol.25 No.9, 页码: 4163-4169 作者:  G. He;  M. Liu;  J. W. Zhang;  X. F. Chen;  Z. Q. Sun 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/22 Interfacial thermal stability and band alignment of Al2O3/HfO2/Al2O3/Si gate stacks grown by atomic layer deposition 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2014, 卷号: Vol.591, 页码: 240-246 作者:  Wei,H.H.;  Sun,Z.Q.;  Cui,J.B.;  Zhang,M.;  Chen,H.S. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/24 High-k  gate  dielectrics  Annealing  temperature  X-ray  photoelectron  Spectroscopy  Band  alignment   Nitridation of Metalorganic-Chemical-VaporDeposited Al2O3 Gate Dielectrics by NH3 Annealing 期刊论文 Science of Advanced Materials, 2014, 卷号: Vol.6 No.5, 页码: 915-922 作者:  He, G;  Zhang, JW;  Chen, XF;  Sun, ZQ;  Zhang, M 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/24 HIGH-K  GATE  DIELECTRICS  INTERFACIAL  PROPERTIES  METALORGANIC  CHEMICAL  VAPOR  DEPOSITION  THERMAL  STABILITY   Microstructure optimization and optical and interfacial properties modulation of sputtering-derived HfO2 thin films by TiO2 incorporation 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2014, 卷号: Vol.611, 页码: 253-259 作者:  Zhou, L;  He, G;  Chen, XF;  Zhang, JW;  Chen, HS 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/24 High-k gate dielectrics  TiO-doped HfO  RF sputtering  Optical constant   Interface optimization and modification of band offsets of ALD-derived Al2O3/HfO2/Al2O3/Ge gate stacks by annealing temperature 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2014, 卷号: Vol.615, 页码: 672-675 作者:  He, G;  Liu, M;  Wei, HH;  Gao, J;  Chen, XS 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/24 High-k gate dielectrics  Annealing temperature  Band offset  Thermal stability   Annealing temperature dependence on the structural and optical properties of sputtering-grown high-k HfO2 gate dielectrics 期刊论文 J Mater Sci: Mater Electron, 2014, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 4163-4169 作者:  B. Deng;  G. He;  X. S. Chen;  X. F. Chen;  J. W. Zhang 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/06/30