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InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文
硕士: 中国科学院大学, 2014
韩智明
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局域表面等离激元增强AlGaN基MSM型日盲紫外探测器 学位论文
硕士: 中国科学院大学, 2014
包广宏
收藏  |  浏览/下载:112/0  |  提交时间:2015/05/03
晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201010532050.6, 申请日期: 2014-10-28, 公开日期: 2012-05-23
作者:  骆志炯;  尹海洲;  朱慧珑
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2015/06/01
低层错能晶体纳米孪晶层形成机理及新方法 项目
2014-
作者:  张振宇
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2019/12/11
样品尺寸对电子束逐层熔化成形Ti-6Al-4V合金组织和力学性能的影响 期刊论文
稀有金属材料与工程, 2014, 期号: S1, 页码: 161-164
王哲; 张钧; 李述军; 侯文韬; 郝玉琳; 杨锐
收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2015/01/15
等通道转角挤压过程中纯铜位错密度变化和力学性能 期刊论文
中国有色金属学报, 2014, 期号: 2014年08期, 页码: 2057-2064
作者:  丁雨田;  刘博;  郭廷彪;  胡勇;  李海龙
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氮化物半导体发光元件及外延衬底 专利
专利号: CN102422496B, 申请日期: 2014-08-06, 公开日期: 2014-08-06
作者:  京野孝史;  盐谷阳平;  秋田胜史;  上野昌纪;  善积祐介
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电视直播口译中的高低语境错层因果探究 期刊论文
2014
林帜
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晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201010532061.4, 申请日期: 2014-06-25, 公开日期: 2012-05-23
作者:  朱慧珑;  尹海洲;  骆志炯
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2015/06/01
晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201010284792.1, 申请日期: 2014-06-04, 公开日期: 2012-04-04
作者:  尹海洲;  骆志炯;  朱慧珑
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