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| GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器 专利
专利号: CN103151710B, 申请日期: 2014-12-31, 公开日期: 2014-12-31
作者: 王琦; 贾志刚; 郭欣; 任晓敏; 黄永清
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| GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器 专利
专利号: CN103151710B, 申请日期: 2014-12-31, 公开日期: 2014-12-31
作者: 王琦; 贾志刚; 郭欣; 任晓敏
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| 一种基于InGaAs/AlGaAs量子阱混杂的循环退火方法 专利
专利号: CN104158087A, 申请日期: 2014-11-19, 公开日期: 2014-11-19
作者:
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| 一种二元闪耀光栅耦合器及其在硅基混合集成光探测器上的应用 专利
专利号: CN104090333A, 申请日期: 2014-10-08, 公开日期: 2014-10-08
作者:
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| 一种太赫兹波高速调制器及其制作方法 专利
专利号: CN102520532B, 申请日期: 2014-07-09, 公开日期: 2014-07-09
作者:
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| 快响应InP/InGaAs/InP红外光电阴极的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:
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| MSM光电探测器及其高频特性研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
朱元涛
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| 一种具有插入层量子阱半导体激光器的外延结构 专利
专利号: CN103779786A, 申请日期: 2014-05-07, 公开日期: 2014-05-07
作者:
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 一种半导体激光器外延片及其制造方法 专利
专利号: CN103715605A, 申请日期: 2014-04-09, 公开日期: 2014-04-09
作者: 许并社; 李学敏; 马淑芳; 田海军; 吴小强
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| High precision demodulation for fiber bragg grating sensors based on the temperature calibrated linear InGaAs photodiode array 会议论文
osa topical conference:the 4th advances in optoelectronics and micro/nano-optics, xi’an, china, 2014-09
作者: Hong Gao; Xueguang Qiao; Manli Hu; Zhongyao Feng; Qinpeng Liu
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