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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2014    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth and electrical characterization of type II InAs/GaSb superlattices for midwave infrared detection 期刊论文 infrared physics & technology, 2014, 卷号: 65, 页码: 129-133 Zhang, LX; Sun, WG; Xu, YQ; Zhang, L; Zhang, L; Si, JJ 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2015/03/25 Interface effect on structural and optical properties of type II InAs/GaSb superlattices 期刊论文 journal of crystal growth, 2014, 卷号: 407, 页码: 37-41 Huang, Jianliang; Ma, Wenquan; Wei, Yang; Zhang, Yanhua; Cui, Kai; Shao, Jun 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2015/03/16 Dark current mechanism of unpassivated mid wavelength type II InAs/GaSb superlattice infrared photodetector 期刊论文 chinese science bulletin, 2014, 卷号: 59, 期号: 28, 页码: 3696-3700 Li, Q; Ma, WQ; Zhang, YH; Cui, K; Huang, JL; Wei, Y; Liu, K; Cao, YL; Wang, WY; Liu, YL; Jin, P 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2015/03/20 Enhanced performance of quantum dot solar cells based on type II quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2014, 卷号: 116, 期号: 13, 页码: 133102 Xu, F; Yang, XG; Luo, S; Lv, ZR; Yang, T 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/03/20 Evidence of Type-II Band Alignment in III-nitride Semiconductors: Experimental and theoretical investigation for In0.17Al0.83N/GaN heterostructures 期刊论文 scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 6521 Wang, JM; Xu, FJ; Zhang, X; An, W; Li, XZ; Song, J; Ge, WK; Tian, GS; Lu, J; Wang, XQ; Tang, N; Yang, ZJ; Li, W; Wang, WY; Jin, P; Chen, YH; Shen, B 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/03/20