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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2014    内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Method of forming p-type gallium nitride based semiconductor, method of forming nitride semiconductor device, and method of forming epitaxial wafer 专利 专利号: US8815621, 申请日期: 2014-08-26, 公开日期: 2014-08-26 作者:  UENO, MASAKI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  NAKAMURA, TAKAO 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 Dual-loop control for laser annealing of semiconductor wafers 专利 专利号: US20140166632A1, 申请日期: 2014-06-19, 公开日期: 2014-06-19 作者:  MCWHIRTER, JAMES T.;  GAINES, DAVID;  LEE, JOSEPH;  ZAMBON, PAULO 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 向沟道中引入应变的方法和使用该方法制作的器件 专利 专利号: US8748272, 申请日期: 2014-06-10, 公开日期: 2012-07-19 作者:  徐秋霞;  殷华湘;  陈大鹏 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2015/05/28 半导体器件的制造方法 专利 专利号: US8642433, 申请日期: 2014-02-04, 公开日期: 2013-02-21 作者:  赵超;  钟汇才;  罗军;  梁擎擎 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2015/05/27 Gallium nitride oxide epitaxial film preparation method, involves cleaning substrate after completion of substrate selecting process, and performing in-situ annealing processing in room temperature to obtain film. 专利 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2014 作者:  LIANG H LIU Y DU G CHEN Y SHEN R XI 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/11