QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2013     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The effect of high/low permittivity in bilayer HfO2/BN resistance random access memory 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1063/1.4807577, 2013 Huang, Jen-Wei; Zhang, Rui; Chang, Ting-Ch; Tsai, Tsung-Ming; Chang, Kuan-Chang; Lou, J.C.; Young, Tai-Fa; Chen, Jung-Hui; Chen, Hsin-Lu; Pan, Yin-Chih; Huang, Xuan; Zhang, Fengyan; Syu, Yong-En; Sze, Simon M.; 张风燕; 黄轩 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/07/22 Computer software  Electric conductivity  Electric fields  Hafnium oxides   Reactive spark plasma sintering of ZrC and HfC ceramics with ？ne microstructures 期刊论文 Scripta Materialia, 2013, 期号: 69, 页码: 139 孙世宽; 张国军; 99; 刘吉轩 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2014/12/18 Optimization of HfO2 growth process by atomic layer deposition (ALD) for high performance charge trapping flash memory application 会议论文 China Semiconductor Technology International Conference 2013, CSTIC 2013, Shanghai, China, March 19, 2013 - March 21, 2013 作者:  Chen, GuoXing;  Huo, Zongliang;  Zhao, ShengJie;  Yang, Xiaonan;  Liu, ZiYu 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/01/20 Atomic layer deposition  Charge trapping  Deposition  Flash memory  Hafnium oxides  Physisorption  Semiconductor device manufacture  Charge trapping memory  Charge-trapping flashes  Deposition temperatures  Future designs  Memory applications  Memory performance  Process parameters  Trapping layers