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苏州纳米技术与纳米仿... [1]
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2013 [2]
学科主题
半导体物理 [1]
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Surface Passivation and Interface Properties of Bulk GaAs and Epitaxial-GaAs/Ge Using Atomic Layer Deposited TiAlO Alloy Dielectric
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2013, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 949-957
作者:
Dong, JR(董建荣)
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提交时间:2014/01/15
IIII-V surface passivation
atomic layer deposition
hysteresis voltage
TiAlO alloy dielectric
epi-GaAs/Ge
effective dielectric constant
elemental out-diffusion
GaAs MOS
Interface-induced Topological Insulator Transition in GaAs/Ge/GaAs Quantum Wells
期刊论文
physical review letters, 2013, 卷号: 111, 期号: 15, 页码: 6402
Dong Zhang, Wenkai Lou, Maosheng Miao, Shou-cheng Zhang, Kai Chang
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提交时间:2014/03/26
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