QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2013    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Low-Temperature Quantum Transport Characteristics in Single n-Channel Junctionless Nanowire Transistors 期刊论文 ieee electron device letters, 2013, 卷号: 34, 期号: 5, 页码: 581-583 Li, Xiaoming; Han, Weihua; Ma, Liuhong; Wang, Hao; Zhang, Yanbo; Yang, Fuhua 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/08/27 Low-Temperature Quantum Transport Characteristics in Single n-ChannelJunctionless Nanowire Transistors 期刊论文 electron device letters, ieee, 2013, 卷号: 34, 期号: 5, 页码: 581-583 Li, Xiaoming; Han, Weihua; Ma, Liuhong; Wang, Hao; Zhang, Yanbo; Yang, Fuhua 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2014/03/26 Polarization properties of Rayleigh backscattering with a high degree of coherence in single-mode fibers 期刊论文 optik - international journal for light and electron optics, 2013, 卷号: 124, 期号: 24, 页码: 6790–6794 Tuanwei Xu , Meizhen Ren, Fang Li 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2014/03/26 Polarization properties of Rayleigh backscattering with a high degree of coherence in single-mode fibers 期刊论文 optik - international journal for light and electron optics, 2013, 卷号: 124, 期号: 24, 页码: 6790-6794 Xu, Tuanwei; Ren, Meizhen; Li, Fang 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2014/03/26 Sub-400 degrees C Si2H6 Passivation, HfO2 Gate Dielectric, and Single TaN Metal Gate: A Common Gate Stack Technology for In0.7Ga0.3As and Ge1-xSnx CMOS 期刊论文 ieee transactions on electron devices, 2013, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: 1640-1648 Gong, Xiao; Han, Genquan; Liu, Bin; Wang, Lanxiang; Wang, Wei; Yang, Yue; Kong, Eugene Yu-Jin; Su, Shaojian; Xue, Chunlai); Cheng, Buwen; Yeo, Yee-Chia 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/08/27