×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2013 [9]
学科主题
半导体材料 [9]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
限定条件
发表日期:2013
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Growth and characterization of AlGaNAlNGaNAlGaN double heterojunction structures with AlGaN as buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2013, 卷号: 383, 页码: 25–29
Enchao Peng, Xiaoliang Wang, Hongling Xiao, Cuimei Wang, Haibo Yin, Hong Chen, Chun Feng, Lijuan Jiang, Xun Hou, Zhanguo Wang
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2014/03/18
Theoretical calculation of the interfacial charge-modulated two-dimensional electron gas mobility in Al2O3/AlGaN/GaN double heterojunction high-electron mobility transistors
期刊论文
solid state communications, 2013, 卷号: 153, 期号: 1, 页码: 53-57
Ji, Dong
;
Lu, Yanwu
;
Liu, Bing
;
Liu, Guipeng
;
Zhu, Qinsheng
;
Wang, Zhanguo
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2013/10/10
Determination of polar C-plane and nonpolar A-plane AlN-GaN heterojunction band offsets by X-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
physica status solidi (b), 2013, 卷号: 1, 期号: 4
Huijie Li, Xianglin Liu, Ling Sang, Jianxia Wang, Dongdong Jin, Heng Zhang, Shaoyan Yang, Shuman Liu, Wei Mao, Yue Hao, Qinsheng Zhu, Zhanguo Wang
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2014/03/17
The Valence Band Offset of an Al0.17Ga0.83NGaN Heterojunction Determined by X-Ray Photoelectron Spectroscopy
期刊论文
chinese physics letters, 2013, 卷号: 30, 期号: 5, 页码: 7101
WAN Xiao-Jia, WANG Xiao-Liang, XIAO Hong-Ling, WANG Cui-Mei, FENG Chun, DENG Qing-Wen, QU Shen-Qi, ZHANG Jing-Wen3, HOU Xun, CAI Shu-Jun, FENG Zhi-Hong
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2014/03/18
Nanotetrapods: quantum dot hybrid for bulk heterojunction solar cells
期刊论文
nanoscale research letters, 2013, 卷号: 8, 期号: 1, 页码: 434
Tan F, Qu S, Li F, Jiang Q, Chen C, Zhang W, Wang Z.
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2014/03/18
Dielectric and barrier thickness fluctuation scattering in Al 2O3/AlGaN/GaN double heterojunction high-electron mobility transistors
期刊论文
thin solid films, 2013, 卷号: 534, 页码: 655–658
Dong Ji, Yanwu Lu, Bing Liu, Guipeng Liu, Qinsheng Zhu, Zhanguo Wang
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2014/05/08
Uni-traveling-carrier double heterojunction phototransistor photodetector
期刊论文
acta physica sinica, 2013, 卷号: 62, 期号: 22, 页码: 228501
Huo Wen-Juan, Xie Hong-Yun, Liang Song, Zhang Wan-Rong, Jiang Zhi-Yun, Chen Xiang, Lu Dong
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2014/04/30
Bipolar characteristics of AlGaNAlNGaNAlGaN double heterojunction structure with AlGaN as buffer layer
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2013, 卷号: 576, 页码: 48–53
Enchao Peng, Xiaoliang Wang, Hongling Xiao, Cuimei Wang, Haibo Yin, Hong Chen, Chun Feng, Lijuan Jiang, Xun Hou, Zhanguo Wang
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2014/03/18
Dielectric and barrier thickness fluctuation scattering in Al2O3/AlGaN/GaN double heterojunction high-electron mobility transistors
期刊论文
thin solid films, 2013, 卷号: 534, 页码: 655-658
Ji, Dong
;
Lu, Yanwu
;
Liu, Bing
;
Liu, Guipeng
;
Zhu, Qinsheng
;
Wang, Zhanguo
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2013/08/27
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace