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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2013    专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The investigation of GaInP solar cell grown by all-solid MBE 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 378, 期号: 0, 页码: 604-606 作者:  Lu, SL(陆书龙);  Ji, L 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2014/01/15 Molecular beam epitaxy  Semiconducting III-V materials  Solar cells   Characterization of the lattice mismatched In-0.68 Ga-0.32 As Material Grown on InP substrate by MOCVD 期刊论文 JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2013, 卷号: 32, 期号: 2, 页码: 118-121 作者:  Lu, SL(陆书龙);  Ji, L(季莲);  Zhao, YM(赵勇明);  Chen, ZM 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2014/01/09 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-PERFORMANCE  CELLS   High-quality InGaN epilayers grown by PA-MBE and abnormal incorporation behavior of Indium into InGaN 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 8 作者:  Yang, H(杨辉);  Wang, JF(王建峰) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2014/01/13 InGaN epilayer  plasma-assisted molecular beam epitaxy  indium incorporation  crystalline quality