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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2013    内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Nitride light emitting device of using substrate decomposition prevention layer and manufacturing method of the same 专利 专利号: US8404505, 申请日期: 2013-03-26, 公开日期: 2013-03-26 作者:  SONG, JUNE O 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24 A semiconductor laser device and a method for manufacturing a semiconductor laser device 专利 专利号: GB2494008A, 申请日期: 2013-02-27, 公开日期: 2013-02-27 作者:  SILKE TRAUT;  STÉPHANIE SAINTENOY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 N-type gallium-nitride layer having multiple conductive intervening layers 专利 专利号: US20130032836A1, 申请日期: 2013-02-07, 公开日期: 2013-02-07 作者:  CHEN, ZHEN;  FU, YI 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/30 Ultra-short pulse silicon nitride laser ablation method involves establishing super ablation of laser, to initialize simulation parameters, using plasma density border condition of iodine oxide-cyanide-triiodothyronine material. 专利 申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-08-28 作者:  GUO D MA G WU D YAO L NIU F 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/13