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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2012     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of ferromagnetic layer on the exchange coupling of antiferromagnetic NiO-based films 期刊论文 Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2012, 卷号: 324, 期号: 22, 页码: 3933-3936 S. Guo; W. Liu; X. H. Liu; W. J. Gong; J. N. Feng; Z. D. Zhang 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/02/05 Exchange bias  Blocking temperature  Thickness  Interface  Interlayer  bias  anisotropy  enhancement  dependence  interfaces  thickness  spacer  model   Magnetic interlayer coupling between antiferromagnetic CoO and ferromagnetic Fe across a Ag spacer layer in epitaxially grown CoO/Ag/Fe/Ag(001) 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 2012, 卷号: 85, 期号: 1 Meng, Y; Li, J; Glans, PA; Jenkins, CA; Arenholz, E; Tan, A; Gibbons, J; Park, JS; Hwang, C; Zhao, HW; Qiu, ZQ 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/18 QUANTUM-WELL STATES  EXCHANGE-BIAS  FILMS  MODEL  INTERFACES  ANISOTROPY  SYSTEMS  FIELD   The bound states of Fe impurity in wurtzite GaN 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 100, 期号: 4 Zhang, M; Zhou, TF; Zhang, YM; Li, B; Zheng, SN; Huang, J; Sun, YP; Ren, GQ; Wang, JF; Xu, K; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/23 IMPLANTED GAN  FERROMAGNETISM  SEMICONDUCTORS