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内容类型
期刊论文 [58]
专利 [1]
学位论文 [1]
发表日期
2011 [60]
学科主题
半导体材料 [22]
光电子学 [7]
半导体物理 [7]
Science & ... [1]
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共60条,第1-10条
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发表日期:2011
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Large "near junction" thermal resistance reduction in electronics by interface nanoengineering
期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF HEAT AND MASS TRANSFER, 2011, 卷号: 54, 期号: 25-26, 页码: 5183-5191
作者:
Hu, Ming
;
Zhang, Xiaoliang
;
Poulikakos, Dimos
;
Grigoropoulos, Costas P.
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2015/12/18
Electronics cooling
Near transistor junction
Interfacial thermal resistance
Molecular dynamics
Thermal diffusion of nitrogen into zno film deposited on inn/sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 11, 页码: 4
作者:
Shi, K.
;
Zhang, P. F.
;
Wei, H. Y.
;
Jiao, C. M.
;
Jin, P.
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/05/12
GaN材料的位错运动特性及缺陷发光特性研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
黄俊
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浏览/下载:245/0
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提交时间:2012/09/10
GaN 位错 缺陷 滑移 应力 发光
Surface characterization of algan grown on si (111) substrates
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32
作者:
Pan, Xu
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Feng, Chun
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Island nucleation
Raman scattering
Si (111) substrate
Algan epilayers
Comparison of as-grown and annealed gan/ingan:mg samples
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 5
作者:
Deng, Qingwen
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Yin, Haibo
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2019/05/12
Effect of high temperature algan buffer thickness on gan epilayer grown on si(111) substrates
期刊论文
Journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:
Wei, Meng
;
Wang, Xiaoliang
;
Pan, Xu
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Defect reduction in (1 1 (2)over-bar 0) nonpolar a-plane GaN grown on r-plane sapphire using TiN interlayers
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 卷号: 327, 期号: 1, 页码: 94-97
Xu, SR
;
Zhang, JC
;
Yang, LA
;
Zhou, XW
;
Cao, YR
;
Zhang, JF
;
Xue, JS
;
Liu, ZY
;
Ma, JC
;
Bao, F (包峰)
;
Hao, Y
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/08/24
VAPOR-PHASE EPITAXY
LIGHT-EMITTING-DIODES
OVERGROWTH
Influence of Annealing on the Structure and 1.54 mu m Photoluminescence of Er-Doped ZnO Thin Films Prepared by Sol-Gel Method
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2011, 卷号: 50, 期号: 6
作者:
Miao, Lei
;
Xiao, Xiudi
;
Ran, Fanyong
;
Tanemura, Sakae
;
Xu, Gang
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2016/10/27
Effect of aln buffer thickness on gan epilayer grown on si(1 1 1)
期刊论文
Materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100
作者:
Wei, Meng
;
Wang, Xiaoliang
;
Pan, Xu
;
Xiao, Hongling
;
Wang, CuiMei
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/12
Gan
Mocvd
Si(111)
Aln
High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/26/5/055013, 2011
Wu, C. M.
;
Zhang, B. P.
;
Shang, J. Z.
;
Cai, L. E.
;
Zhang, J. Y.
;
Yu, J. Z.
;
Wang, Q. M.
;
张保平
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/07/22
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
MIRRORS
GAN
WAVELENGTHS
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