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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2011     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130013A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20 程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 夏超; 宋朝瑞; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2012/01/06 N+离子注入诱变筛选胸腺嘧啶缺陷型大肠杆菌 期刊论文 化学与生物工程, 2011, 卷号: 28, 期号: 4 昌国强; 欧伶; 丁庆豹; 郑之明; 王丽; 袁成凌 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/07/19 Influence of high-dose nitrogen implantation on the positive charge density of the buried oxide of silicon-on-insulator wafers 期刊论文 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: article no.56104 作者:  Yu F 收藏  |  浏览/下载：93/6  |  提交时间：2011/07/06 separation by oxygen implantation  buried oxide  nitrogen implantation  positive charge density  RADIATION HARDNESS  IMPLANTING NITROGEN  ION-IMPLANTATION  IMPROVEMENT  TECHNOLOGY  OXYGEN  LAYER   N+ 离子注入诱变筛选胸腺嘧啶缺陷型大肠杆菌 期刊论文 化学与生物工程, 2011, 卷号: 28, 期号: 4 昌国强; 欧伶; 丁庆豹; 郑之明; 王 丽; 袁成凌 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2011/09/02