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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2011     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Light-emitting device and method for producing light emitting device 专利 专利号: US8076168, 申请日期: 2011-12-13, 公开日期: 2011-12-13 作者:  SAEKI, RYO 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 High-efficiency GaAs and GaInP solar cells grown by all solid-state Molecular-Beam-Epitaxy 期刊论文 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2011, 卷号: 6, 期号: 0 作者:  Ji, L (季莲);  Yang, H (杨辉);  Lu, SL (陆书龙);  Lu, SL (陆书龙) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/07/24 Light emitting device and method of fabricating the same 专利 专利号: US7972892, 申请日期: 2011-07-05, 公开日期: 2011-07-05 作者:  YAMADA, MASATO;  TAKAHASHI, MASANOBU 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor layer structure with superlattice 专利 专利号: US7893424, 申请日期: 2011-02-22, 公开日期: 2011-02-22 作者:  EICHLER, CHRISTOPH;  LELL, ALFRED;  MILER, ANDREAS;  SCHILLGALIES, MARC 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 提高GaN基LED发光效率的研究 学位论文 2011, 2010 朱丽虹 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/07/17 GaN基LED  GaN-based LED  蒙托卡罗方法  Monte Carlo photon-raytracing method  MOCVD  MOCVD  InGaN/GaN 多量子阱  InGaN/GaN MQW  欧姆接触  ohmic contact  侧向外延过生长  LEO technique  极化效应  polarization effect.  内量子效率。   Molecular beam epitaxy growth of gaas on an offcut ge substrate 期刊论文 Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 6 作者:  He Ji-Fang;  Niu Zhi-Chuan;  Chang Xiu-Ying;  Ni Hai-Qiao;  Zhu Yan 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Molecular beam epitaxy  Anti-phase domain  Gaas/ge interface   Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102 作者:  Li MF 收藏  |  浏览/下载：106/7  |  提交时间：2011/07/05 molecular beam epitaxy  anti-phase domain  GaAs/Ge interface  CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  JUNCTION SOLAR-CELLS  DOMAIN-FREE GROWTH  TEMPERATURE  QUALITY  FUTURE