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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Spectral Resolution Effects on the Lineshape of Photoreflectance 期刊论文 Chinese Physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4 作者:  L.L.Ma;  J.Shao;  X.Lu 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/10/23 The Influence of the Silicon/Silicon Oxide Space Charge Region on Excess Charge Carrier Kinetics in Silicon 期刊论文 Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2011, 卷号: 248, 期号: 2, 页码: 352-360 - 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/11/05 heterojunctions  silicon  SiO(2)  surface photovoltage  time-resolved conductivity   Abnormal physics of group-II telluride system: valence contribution of d electrons 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 4 作者:  He Duan;  You-Zhong Dong;  Yan Huang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2012/10/23 Lattice expansion and evolution of damage buildup in Be-implanted InAs 期刊论文 Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2011, 卷号: 269, 期号: 21 作者:  Q.W.Wang;  C.H.Sun;  M.Chen 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/10/23