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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of transverse electric field on helical edge states in a quantum spin-hall system 期刊论文 Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 22, 页码: 3 作者:  Liu, Genhua;  Zhou, Guanghui;  Chen, Yong-Hai 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Cadmium compounds  Ii-vi semiconductors  Mercury compounds  Quantum hall effect  Semiconductor quantum wells  Spin hall effect  Wide band gap semiconductors   Electrical switching of the edge channel transport in hgte quantum wells with an inverted band structure 期刊论文 Physical review b, 2011, 卷号: 83, 期号: 8, 页码: 4 作者:  Zhang, L. B.;  Cheng, F.;  Zhai, F.;  Chang, Kai 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 GaAs-based long-wavelength InAs quantum dots on multi-step-graded InGaAs metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 33, 页码: 335102 He JF; Wang HL; Shang XJ; Li MF; Zhu Y; Wang LJ; Yu Y; Ni HQ; Xu YQ; Niu ZC 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/01/06 1.3 MU-M  STRAIN RELIEF  LASERS  SUBSTRATE  PHOTOLUMINESCENCE  DISLOCATIONS  OPERATION  RANGE   Electrical switching of the edge channel transport in HgTe quantum wells with an inverted band structure 期刊论文 physical review b, 2011, 卷号: 83, 期号: 8, 页码: article no.81402 Zhang LB; Cheng F; Zhai F; Chang K 收藏  |  浏览/下载：48/5  |  提交时间：2011/07/05 A Programmable Vision Chip Based on Multiple Levels of Parallel Processors 期刊论文 ieee journal of solid-state circuits, 2011, 卷号: 46, 期号: 9, 页码: 2132-2147 Zhang WC; Fu QY; Wu NJ 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/06 RECOGNITION SYSTEMS  FEATURE-EXTRACTION  IMAGE  SENSOR  ARCHITECTURE  DESIGN  ARRAY  VLSI   Doping induced spin filtering effect in zigzag graphene nanoribbons with asymmetric edge hydrogenation 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 8, 页码: article no.83109 Kang J; Wu FM; Li JB 收藏  |  浏览/下载：44/4  |  提交时间：2011/07/05 Relationship between the growth rate and Al incorporation of AlGaN by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of alloys and compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 3, 页码: 748-750 作者:  Yang H;  Jiang DS;  Le LC;  Zhang SM;  Wu LL 收藏  |  浏览/下载：46/3  |  提交时间：2011/07/05 Nitride materials  Crystal growth  Composition fluctuations  X-ray diffraction  LAYER   Band optimization of two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser 期刊论文 journal of optics, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: article no.15104 作者:  Jiang B 收藏  |  浏览/下载：68/4  |  提交时间：2011/07/06 photonic crystal  band edge mode  surface-emitting laser  band optimization  TIME-DOMAIN SIMULATION  MODE LASER  EMISSION  SILICON  DESIGN  SLAB   The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42 作者:  Song HP;  Shi K;  Sang L;  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：58/3  |  提交时间：2011/07/05 Metal organic chemical vapor deposition  Sapphire  Zinc compounds  Semiconducting II-VI materials  VAPOR-PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  ZNO NANORODS  RAMAN-SCATTERING  M-PLANE  FILMS  PHOTOLUMINESCENCE  DEPOSITION  NANOWIRES  FIELDS   Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文 journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  ALN INTERLAYERS  FILMS  STRESS  LAYERS  DISLOCATIONS  REDUCTION  DENSITY  DIODES