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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2011    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method 期刊论文 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69 作者:  Song HP;  Wei HY;  Li CM;  Jiao CM 收藏  |  浏览/下载：66/4  |  提交时间：2011/07/05 CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION  GALLIUM NITRIDE  STRESSES  LAYERS  HETEROSTRUCTURE  DEPOSITION  CONSTANTS  MECHANISM  SAPPHIRE  STRAIN   Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：81/5  |  提交时间：2011/07/05 Sandwich structure  Stress  Aluminum nitride  Gallium nitride  Silicon  PHONON DEFORMATION POTENTIALS  WURTZITE ALN  SILICON  STRESS  TRANSISTORS  EPITAXY  LAYERS