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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2011    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Redshift and discrete energy level separation of self-assembled quantum dots induced by strain-reducing layer 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 6, 页码: article no.64320 作者:  Yang T 收藏  |  浏览/下载：53/5  |  提交时间：2011/07/05 PHOTOLUMINESCENCE  EMISSION  INALAS   Abnormal temperature dependent photoluminescence of excited states of InAs/GaAs quantum dots: Carrier exchange between excited states and ground states 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 11, 页码: 113540 Zhou, X.L.; Chen, Y.H.; Ye, X.L.; Xu, Bo; Wang, Z.G. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/06/14 Ground state  Photoluminescence  Quantum efficiency  Semiconductor quantum dots