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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2011    学科主题：半导体材料    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311 作者:  Xu B;  Zhou GY;  Ye XL;  Zhang HY 收藏  |  浏览/下载：53/5  |  提交时间：2011/07/05 SELF-ORGANIZED ISLANDS  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACES  EMISSION  DENSITY  SIZE   Numerical study of strained InGaAs quantum well lasers emitting at 2.33 mu m using the eight-band model 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 77301 Wang M; Gu YX; Ji HM; Yang T; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/02/06 EPITAXY  MOVPE