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浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2010    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Band structures of graphene hexagonal lattice semiconductor quantum dots 期刊论文 Applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 24, 页码: 3 作者:  Peng, Juan;  Li, Shu-Shen 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Electronic structure and magnetic coupling properties of gd-doped aln: first-principles calculations 期刊论文 European physical journal b, 2010, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: 345-349 作者:  Zhang, Y. J.;  Shi, H. -L.;  Wang, S. X.;  Zhang, P.;  Li, R. W. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Evaluating 0.53 ev gainassb thermophotovoltaic diode based on an analytical absorption model 期刊论文 Semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 8 作者:  Wang, Y.;  Chen, N. F.;  Zhang, X. W.;  Huang, T. M.;  Yin, Z. G. 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Measurement of w-inn/h-bn heterojunction band offsets by x-ray photoemission spectroscopy 期刊论文 Nanoscale research letters, 2010, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 1340-1343 作者:  Liu, J. M.;  Liu, X. L.;  Xu, X. Q.;  Wang, J.;  Li, C. M. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Valence band offset  W-inn/h-bn heterojunction  X-ray photoelectron spectroscopy  Conduction band offset  Valence band offset   The role of zinc dopant and the temperature effect on the controlled growth of inn nanorods in metal-organic chemical vapor deposition system 期刊论文 Crystengcomm, 2010, 卷号: 12, 期号: 11, 页码: 3936-3941 作者:  Song, Huaping;  Guo, Yan;  Yang, Anli;  Wei, Hongyuan;  Xu, Xiaoqing 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 First-principles prediction of the magnetism of 3d transition-metal-doped Rocksalt MgO 期刊论文 physics letters a, 2010, 卷号: 374, 期号: 10, 页码: 1292-1296 Shi LJ (Shi Li-Jie) 收藏  |  浏览/下载：19/3  |  提交时间：2010/04/13 Ferromagnetism  Half-metal  Double-exchange mechanism  TEMPERATURE FERROMAGNETISM  ELECTRIC PROPERTIES  ZNO FILMS  II-VI  SEMICONDUCTORS  SPINTRONICS  MODEL  SPIN  GAS   Electronic structure and magnetic coupling properties of Gd-doped AlN: first-principles calculations 期刊论文 european physical journal b, 2010, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: 345-349 Zhang YJ (Zhang Y. J.); Shi HL (Shi H. -L.); Wang SX (Wang S. X.); Zhang P (Zhang P.); Li RW (Li R. W.) 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/11/27 Charge Separation in Wurtzite/Zinc-Blende Heterojunction GaN Nanowires 期刊论文 chemphyschem, 2010, 卷号: 11, 期号: 15, 页码: 3329-3332 Wang ZG (Wang Zhiguo); Li JB (Li Jingbo); Gao F (Gao Fei); Weber WJ (Weber William J.) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/12/05 SILICON NANOWIRES  CATALYTIC GROWTH  BAND OFFSETS  SOLAR-CELLS  SEMICONDUCTORS  SUPERLATTICES  EFFICIENCY   First principles study of N-N split interstitial in GaN nanowires 期刊论文 physics letters a, 2010, 卷号: 374, 期号: 44, 页码: 4543-4547 Wang ZG (Wang Zhiguo); Li JB (Li Jingbo) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/14 N-N split interstitials  GaN nanowires  First principles calculation  SEMICONDUCTORS  ENERGY   Origin of ferromagnetism in self-assembled Ga1-xMnxAs quantum dots grown on Si 期刊论文 applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 24, 页码: article no.242505 作者:  Chen L 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2011/07/05 MN  SEMICONDUCTORS  SPINTRONICS  ELECTRONICS  (GA,MN)AS  GAAS