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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2010    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Origin of ferromagnetism in self-assembled Ga1-xMnxAs quantum dots grown on Si 期刊论文 applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 24, 页码: article no.242505 作者:  Chen L 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2011/07/05 MN  SEMICONDUCTORS  SPINTRONICS  ELECTRONICS  (GA,MN)AS  GAAS   Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs 期刊论文 physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204 Deng HX (Deng Hui-Xiong); Li JB (Li Jingbo); Li SS (Li Shu-Shen); Peng HW (Peng Haowei); Xia JB (Xia Jian-Bai); Wang LW (Wang Lin-Wang); Wei SH (Wei Su-Huai) 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/12/27 IMPURITIES  GAAS1-XNX  NITROGEN  GAINNAS  STATES  TRAPS   Defects in gallium nitride nanowires: First principles calculations 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044305 Wang ZG (Wang Zhiguo); Li JB (Li Jingbo); Gao F (Gao Fei); Weber WJ (Weber William J.) 收藏  |  浏览/下载：105/1  |  提交时间：2010/10/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  GAN NANOWIRES  NATIVE DEFECTS  COMPLEXES  EPITAXY  GROWTH  ARRAYS   Quantum tunneling through planar p-n junctions in HgTe quantum wells 期刊论文 new journal of physics, 2010, 期号: 12, 页码: art. no. 083058 Zhang LB (Zhang L. B.); Chang K (Chang Kai); Xie XC (Xie X. C.); Buhmann H (Buhmann H.); Molenkamp LW (Molenkamp L. W.) 收藏  |  浏览/下载：145/5  |  提交时间：2010/09/20 SINGLE DIRAC CONE  TOPOLOGICAL INSULATORS  HALL  SURFACE  STATE  PHASE