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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2010    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Multi-wafer 3C-SiC heteroepitaxial growth on Si(100) substrates 期刊论文 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: art. no. 088101 Sun GS (Sun Guo-Sheng); Liu XF (Liu Xing-Fang); Wang L (Wang Lei); Zhao WS (Zhao Wan-Shun); Yang T (Yang Ting); Wu HL (Wu Hai-Lei); Yan GG (Yan Guo-Guo); Zhao YM (Zhao Yong-Mei); Ning J (Ning Jin); Zeng YP (Zeng Yi-Ping); Li JM (Li Jin-Min) 收藏  |  浏览/下载：172/19  |  提交时间：2010/09/07 3C-SiC  heteroepitaxial  multi-wafer  uniformity   A study of indium incorporation in In-rich InGaN grown by MOVPE 期刊论文 applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 10, 页码: 3352-3356 作者:  Wei HY;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：139/13  |  提交时间：2010/04/22 MOVPE  In-rich InGaN  Indium incorporation  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  CRITICAL THICKNESS  DROPLET FORMATION  PHASE-SEPARATION  TEMPERATURE  FILMS  HETEROSTRUCTURES  IMMISCIBILITY  INXGA1-XN   Preparation and Optical Performance of Freestanding GaN Thick Films 期刊论文 rare metal materials and engineering, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172 作者:  Wei TB;  Yang JK;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：58/10  |  提交时间：2011/07/05 GaN  HVPE  freestanding thick films  stress release  photoluminescence  VAPOR-PHASE EPITAXY  GROWTH  PRESSURE  HVPE