×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [35]
上海微系统与信息技术... [5]
厦门大学 [4]
苏州纳米技术与纳米仿... [4]
力学研究所 [1]
物理研究所 [1]
更多...
内容类型
期刊论文 [49]
会议论文 [3]
发表日期
2009 [52]
学科主题
半导体物理 [14]
半导体材料 [8]
光电子学 [4]
半导体化学 [3]
Instrument... [1]
Nanoscienc... [1]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共52条,第1-10条
帮助
限定条件
发表日期:2009
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Defect evolution and accompanied change of electrical properties during the GaN growth by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2009, 卷号: 487, 期号: 1-2, 页码: 400-403
作者:
Yang H(杨辉)
;
Zhang SM
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2010/01/15
Nitride materials
Crystal growth
X-ray diffraction
The effect of single AlGaN interlayer on the structural properties of GaN epilayers grown on Si (111) substrates
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2009, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 4413-4417
作者:
Zhang SM
;
Yang H(杨辉)
;
Zhang SM
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2010/01/15
INTERSUBBAND ABSORPTION
MU-M
ALGAN
GAN
INTERLAYERS
MOVPE
ALN
InGaN/GaN p-i-n Photodiodes Fabricated with Mg-Doped p-InGaN Layer
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 26, 期号: 10
作者:
Yang H(杨辉)
;
Zhang SM
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2010/01/15
Suppression of indium droplet formation by adding CCl4 during metalorganic chemical vapor deposition growth of InN films
期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 7
作者:
Zhang SM
;
Yang H(杨辉)
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2010/01/15
Quantum efficiency and temperature coefficients of gainp/gaas dual-junction solar cell
期刊论文
Science in china series e-technological sciences, 2009, 卷号: 52, 期号: 5, 页码: 1176-1180
作者:
Liu Lei
;
Chen NuoFu
;
Bai YiMing
;
Cui Ming
;
Zhang Han
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Quantum efficiency
Temperature coefficient
Solar cell
Band Engineering in Strained GaN/ultrathin InN/GaN Quantum Wells
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1021/cg8003867, 2009
Lin, W.
;
Benjamin, D.
;
Li, S. P.
;
Sekiguchi, T.
;
Ito, S.
;
Kang, J. Y.
;
康俊勇
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2013/12/12
TOTAL-ENERGY CALCULATIONS
WAVE BASIS-SET
PHASE-SEPARATION
INGAN
SEMICONDUCTORS
EPITAXY
GROWTH
Annealing behaviors of long-wavelength inas/gaas quantum dots with different growth procedures by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 8, 页码: 2281-2284
作者:
Liang, S.
;
Zhu, H. L.
;
Ye, X. L.
;
Wang, W.
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Photoluminescence
Metalorganic vapor phase epitaxy
Self-assembled quantum dots
Indium arsenide
Fabrication and characterization of ZnO film based UV photodetector
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1007/s10854-008-9698-x, 2009
Liu, C. Y.
;
Zhang, B. P.
;
Lu, Z. W.
;
Binh, N. T.
;
Wakatsuki, K.
;
Segawa, Y.
;
Mu, R.
;
张保平
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2015/07/22
OPTICAL-PROPERTIES
ROOM-TEMPERATURE
GROWTH
DENSITY
Temperature dependent spectral response characteristic of iii-v compound tandem cell
期刊论文
Chinese science bulletin, 2009, 卷号: 54, 期号: 3, 页码: 353-357
作者:
Liu Lei
;
Chen NuoFu
;
Wang Yu
;
Bai YiMing
;
Cui Min
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Spectral response
Tandem cell
Temperature coefficient
Growth behavior of AlInGaN films
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.09.012, 2009
Shang, J. Z.
;
Zhang, B. P.
;
Mao, M. H.
;
Cai, L. E.
;
Zhang, J. Y.
;
Fang, Z. L.
;
Liu, B. L.
;
Yu, J. Z.
;
Wang, Q. M.
;
Kusakabe, K.
;
Ohkawa, K.
;
刘宝林
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2013/12/12
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
QUANTUM-WELLS
EPILAYERS
LUMINESCENCE
TEMPERATURE
DIODES
LASER
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace