QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共26条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2009    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Structural, morphological, and magnetic characteristics of cu-implanted nonpolar gan films 期刊论文 Applied surface science, 2009, 卷号: 256, 期号: 5, 页码: 1361-1364 作者:  Sun, Lili;  Yan, Fawang;  Zhang, Huixiao;  Wang, Junxi;  Zeng, Yiping 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 Diluted magnetic semiconductors (dmss)  Ion implantation  Nonpolar a-plane gan:cu films  Room-temperature ferromagnetic properties   The impact of implantation dose on the characteristics of diluted-magnetic nonpolar gan:cu films 期刊论文 Materials letters, 2009, 卷号: 63, 期号: 29, 页码: 2574-2576 作者:  Sun, Lili;  Yan, Fawang;  Zhang, Huixiao;  Wang, Junxi;  Zeng, Yiping 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Diluted magnetic semiconductors (dmss)  Ion implantation  Nonpolar a-plane gan-cu films  Room-temperature ferromagnetic properties   The field emission properties of nonpolar a-plane n-type gan films grown on nano-patterned sapphire substrates 期刊论文 Physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 7, 页码: 1501-1503 作者:  Sun, Lili;  Yan, Fawang;  Wang, Junxi;  Zhang, Huixiao;  Zeng, Yiping 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Enhancement of field emission of the zno film by the reduced work function and the increased conductivity via hydrogen plasma treatment 期刊论文 Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 26, 页码: 3 作者:  You, J. B.;  Zhang, X. W.;  Cai, P. F.;  Dong, J. J.;  Gao, Y. 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Atomic force microscopy  Field emission  Hydrogen  Ii-vi semiconductors  Plasma materials processing  Sputter deposition  Wide band gap semiconductors  Work function  Zinc compounds   Interfaces in inas/gasb superlattices grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 Chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 4 作者:  Guo Jie;  Sun Wei-Guo;  Peng Zhen-Yu;  Zhou Zhi-Qiang;  Xu Ying-Qiang 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Anomalous coarsening of self-assembled inas quantum dots on vicinal gaas (100) substrates 期刊论文 Journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 5 作者:  Liang, S.;  Zhu, H. L.;  Ye, X. L.;  Pan, J. Q.;  Zhao, L. J. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 An internally-matched gan hemts device with 45.2 w at 8 ghz for x-band application 期刊论文 Solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Tang, J.;  Ran, J. X. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/aln/gan  Hemt  Mocvd  Sic substrate  Power device   Influence of implantation energy on the characteristics of mn-implanted nonpolar a-plane gan films 期刊论文 Materials letters, 2009, 卷号: 63, 期号: 3-4, 页码: 451-453 作者:  Sun, Lili;  Yan, Fawang;  Wang, Junxi;  Zhang, Huixiao;  Zeng, Yiping 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Diluted magnetic semiconductors (dmss)  Implantation energy  Nonpolar a-plane gan:mn films  Room temperature   Long-wavelength emission inas quantum dots grown on ingaas metamorphic buffers 期刊论文 Journal of nanoscience and nanotechnology, 2009, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 1333-1336 作者:  Wu, B. P.;  Wu, D. H.;  Xiong, Y. H.;  Huang, S. S.;  Ni, H. Q. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas quantum dots  Metamorphic buffer  Molecular beam epitaxy   Shape stability of inas self-assembled islands on vicinal gaas(001) substrates 期刊论文 Chemical physics letters, 2009, 卷号: 468, 期号: 4-6, 页码: 249-252 作者:  Liang, S.;  Zhu, H. L.;  Wang, W. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12