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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2009 [8]
学科主题
半导体物理 [8]
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共8条,第1-8条
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发表日期:2009
学科主题:半导体物理
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Distribution of dislocations in GaSb and InSb epilayers grown on GaAs (001) vicinal substrates
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 9, 页码: art. no. 094903
Li MC
;
Qiu YX
;
Liu GJ
;
Wang YT
;
Zhang BS
;
Zhao LC
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/03/08
X-RAY-DIFFRACTION
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
FILMS
MISFIT
Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 064211
作者:
Wang Y
;
Pan JQ
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浏览/下载:112/0
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
WAVE-GUIDE CIRCUIT
DOUBLE HETEROSTRUCTURES
SILICON SUBSTRATE
CW OPERATION
WAFER
DEVICES
FILMS
Optical properties of aluminum-, gallium-, and indium-doped Bi4Ti3O12 thin films
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 11, 页码: art. no. 113108
作者:
Jia CH
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浏览/下载:105/4
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提交时间:2010/03/08
PULSED-LASER DEPOSITION
FERROELECTRIC PROPERTIES
ELECTRICAL-PROPERTIES
STRUCTURAL-PROPERTIES
SUBSTRATE
Confinement factor and absorption loss of AlInGaN based laser diodes emitting from ultraviolet to green
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 2, 页码: art. no. 023104
作者:
Zhu JJ
;
Zhang SM
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Yang H
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浏览/下载:191/56
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
claddings
gallium compounds
III-V semiconductors
indium compounds
quantum well lasers
refractive index
waveguide lasers
Electronic and Mechanical Coupling in Bent ZnO Nanowires
期刊论文
advanced materials, 2009, 卷号: 21, 期号: 48, 页码: 4937
Han XB
;
Kou LZ
;
Lang XL
;
Xia JB
;
Wang N
;
Qin R
;
Lu J
;
Xu J
;
Liao ZM
;
Zhang XZ
;
Shan XD
;
Song XF
;
Gao JY
;
Guo WL
;
Yu DP
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/04/04
QUANTUM WIRES
SI SUBSTRATE
STRAIN
ARRAYS
PHOTOLUMINESCENCE
SILICON
Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 141902
Chen YH
;
Li C
;
Zhou ZW
;
Lai HK
;
Chen SY
;
Ding WC
;
Cheng BW
;
Yu YD
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浏览/下载:92/14
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提交时间:2010/03/08
chemical vapour deposition
elemental semiconductors
energy gap
germanium
Ge-Si alloys
photoluminescence
semiconductor epitaxial layers
semiconductor quantum wells
silicon
tensile strength
The effect of single AlGaN interlayer on the structural properties of GaN epilayers grown on Si (111) substrates
期刊论文
chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 4413-4417
Wu YX (Wu Yu-Xin)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Chen GF (Chen Gui-Feng)
;
Yang H (Yang Hui)
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浏览/下载:130/35
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提交时间:2010/03/08
GaN
Strain Effects on the Optical Polarization Properties of R-Plane Wurtzite GaN
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: art. no. 041001
作者:
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浏览/下载:129/28
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提交时间:2010/03/08
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
QUANTUM-WELLS
LASER-DIODES
ORIENTATION
SEMICONDUCTORS
DEPENDENCE
ANISOTROPY
SEMIPOLAR
SAPPHIRE
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