QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar GaN on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157 作者:  Wei TB;  Wei XC;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：84/6  |  提交时间：2010/03/08 HRXRD  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Semipolar   Determination of MgO/AlN heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy (vol 94, 052101, 2009) 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 12, 页码: art. no. 129901 作者:  Wei HY;  Song HP;  Jiao CM 收藏  |  浏览/下载：379/108  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  core levels  III-V semiconductors  magnesium compounds  semiconductor heterojunctions  semiconductor-insulator boundaries  X-ray photoelectron spectra   Influence of zinc phthalocyanines on photoelectrical properties of hydrogenated amorphous silicon 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 39-42 作者:  Peng Wenbo;  Liu Shiyong 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23 Gap states and microstructure of microcrystalline silicon thin films 期刊论文 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 8, 页码: 5716-5720 Peng WB; Liu SY; Xiao HB; Zhang CS; Shi MJ; Zeng XB; Xu YY; Kong GL; Yu YD 收藏  |  浏览/下载：86/3  |  提交时间：2010/03/08 gap states  grain boundary  microcrystalline silicon  modulated photocurrent   Raman scattering study on Ga1-xMnxAs prepared by Mn ions implantation, deposition and post-annealing 期刊论文 crystal research and technology, 2009, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 215-220 Islam MR; Chen NF; Yamada M 收藏  |  浏览/下载：224/44  |  提交时间：2010/03/08 Raman scattering  ferromagnetic  semiconductor  GaMnAs  Mn ions implantation  deposition   Structural and optical properties of ZnO films on SrTiO3 substrates by MOCVD 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015415 作者:  Jia CH 收藏  |  浏览/下载：173/14  |  提交时间：2010/03/08 PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  ZINC-OXIDE  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  SAPPHIRE  SURFACE  GROWTH   Influence of a tilted cavity on quantum-dot optoelectronic active devices 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 37-40 作者:  Xu Bo 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23 Boron-doped silicon film as a recombination layer in the tunnel junction of a tandem solar cell 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 25-28 作者:  Liu Shiyong;  Peng Wenbo 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23 Luminescence spectroscopy of ion implanted AlN bulk single crystal 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 31-33 作者:  Ke Jianhong 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/23 Synthesis and characterization of well-aligned Zn1-xMgxO nanorods and film by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 2, 页码: 278-281 作者:   收藏  |  浏览/下载：199/82  |  提交时间：2010/03/08 Nanostructures  Metalorganic chemical vapor deposition  Zinc compounds  Semiconducting II-VI materials