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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Annealing behaviors of long-wavelength InAs/GaAs quantum dots with different growth procedures by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 8, 页码: 2281-2284 作者:  Ye XL;  Liang S 收藏  |  浏览/下载：32/4  |  提交时间：2010/03/08 Photoluminescence  Metalorganic vapor phase epitaxy  Self-assembled quantum dots  Indium arsenide   Narrowing of band gap and low-temperature spin glass behavior of FeNi co-doped ZnO nanowires 期刊论文 epl, 2009, 卷号: 87, 期号: 5, 页码: art. no. 57004 Iqbal J; Liu XF; Majid A; Yu DP; Yu RH 收藏  |  浏览/下载：92/34  |  提交时间：2010/03/08 ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  FERROMAGNETISM  FILMS  SPINTRONICS  PRINCIPLES   基于文献计量分析的LED知识图谱及产业化对策 期刊论文 情报学报, 2009, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 443-450 王吉武; 黄鲁成; 李剑; 刘王来; 卢文光 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/23 Structural and optical properties of ZnO films on SrTiO3 substrates by MOCVD 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015415 作者:  Jia CH 收藏  |  浏览/下载：173/14  |  提交时间：2010/03/08 PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  ZINC-OXIDE  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  SAPPHIRE  SURFACE  GROWTH   Growth and characterization of GaInNAs by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method 期刊论文 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1723-1727 Zhao H; Wang SM; Zhao QX; Sadeghi M; Larsson A 收藏  |  浏览/下载：180/35  |  提交时间：2010/03/08 Quantum well  Dilute nitride  Rapid thermal annealing  InGaAs  GaInNAs   Luminescence spectroscopy of ion implanted AlN bulk single crystal 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 31-33 作者:  Ke Jianhong 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/23 Synthesis and characterization of well-aligned Zn1-xMgxO nanorods and film by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 2, 页码: 278-281 作者:  Song HP;  Jiao CM;  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：199/82  |  提交时间：2010/03/08 Nanostructures  Metalorganic chemical vapor deposition  Zinc compounds  Semiconducting II-VI materials   Proton irradiation-induced defects in undoped GaSb studied by positron lifetime spectroscopy and photoluminescence 期刊论文 journal of optoelectronics and advanced materials, 2009, 卷号: 11, 期号: 8, 页码: 1122-1126 Li H; Wang Z; Zhou K; Pang JB; Ke JY; Zhao YW 收藏  |  浏览/下载：58/1  |  提交时间：2010/03/08 GaSb  Proton irradiation  Defects  Positron lifetime  Photoluminescence   Improvement in crystal quality of ZnO film on Si substrate by using a homo-buffer layer 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 233-237 作者:  Zhao J 收藏  |  浏览/下载：43/4  |  提交时间：2011/07/05 ZnO  Pulsed laser deposition  X-ray diffraction  Photoluminescence  Reflection high-energy electron diffraction  PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  PLD TECHNIQUE  GROWTH  SAPPHIRE  TEMPERATURE   Enhancement of Exciton-Phonon Interaction in InGaN Quantum Wells Induced by Electron-Beam Irradiation 期刊论文 japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 2, 页码: art. no. 021001 作者:  Wei XC;  Duan RF;  Ding K 收藏  |  浏览/下载：76/19  |  提交时间：2010/03/08 LOCALIZATION  SEMICONDUCTORS  EMISSION  BOXES  BAND