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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2008    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Circular photogalvanic effect at inter-band excitation in inn 期刊论文 Solid state communications, 2008, 卷号: 145, 期号: 4, 页码: 159-162 作者:  Zhang, Z.;  Zhang, R.;  Liu, B.;  Xie, Z. L.;  Xiu, X. Q. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Inn  Photogalvanic  Inter-band transition   Circular photogalvanic effect at inter-band excitation in InN 期刊论文 solid state communications, 2008, 卷号: 145, 期号: 4, 页码: 159-162 Zhang, Z; Zhang, R; Liu, B; Xie, ZL; Xiu, XQ; Han, R; Lu, H; Zheng, YD; Chen, YH; Tang, CG; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：67/2  |  提交时间：2010/03/08 InN  photogalvanic  inter-band transition   A Synthesis Tool for a Tile-Based Heterogeneous FPGA 会议论文 9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008 Zhang K; Yu HM; Chen SL; Liu ZL 收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2010/03/09