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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2008    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Promoting strain relaxation of si0.72ge0.28 film on si (100) substrate by inserting a low-temperature ge islands layer in uhvcvd 期刊论文 Applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 2660-2664 作者:  Zhou, Zhiwen;  Cai, Zhimeng;  Li, Cheng;  Lai, Hongkai;  Chen, Songyan 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Relaxed buffer  Sige film  Lt-ge layer  Strain relaxation  Uhvcvd   Dislocation scattering in alxga1-xn/gan heterostructures 期刊论文 Applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 18, 页码: 3 作者:  Xu, Xiaoqing;  Liu, Xianglin;  Han, Xiuxun;  Yuan, Hairong;  Wang, Jun 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 Aluminium compounds  Dislocation density  Electron mobility  Gallium compounds  Iii-v semiconductors  Interface roughness  Semiconductor heterojunctions  Two-dimensional electron gas  Wide band gap semiconductors   High-temperature aln interlayer for crack-free algan growth on gan 期刊论文 Journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 4 作者:  Sun, Qian;  Wang, Jianteng;  Wang, Hui;  Jin, Ruiqin;  Jiang, Desheng 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/12 Investigation on the structural origin of n-type conductivity in inn films 期刊论文 Journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: 5 作者:  Wang, H.;  Jiang, D. S.;  Wang, L. L.;  Sun, X.;  Liu, W. B. 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 The influence of low-temperature ge seed layer on growth of high-quality ge epilayer on si(100) by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition 期刊论文 Journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 10, 页码: 2508-2513 作者:  Zhou, Zhiwen;  Li, Cheng;  Lai, Hongkai;  Chen, Songyan;  Yu, Jinzhong 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Characterization  Reflection high energy electron diffraction  X-ray diffraction  Chemical vapor deposition  Germanium   Mocvd growth of inn using a gan buffer 期刊论文 Superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 43, 期号: 2, 页码: 81-85 作者:  Wang, L. L.;  Wang, H.;  Chen, J.;  Sun, X.;  Zhu, J. J. 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12 Surface  X-ray diffraction  Electrical properties  Metalorganic chemical vapour deposition  Inn   The influence of low-temperature Ge seed layer on growth of high-quality Ge epilayer on Si(100) by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 10, 页码: 2508-2513 Zhou ZW; Li C; Lai HK; Chen SY; Yu JZ 收藏  |  浏览/下载：55/12  |  提交时间：2010/03/08 characterization   Nitrogen defects and ferromagnetism in Cr-doped dilute magnetic semiconductor AlN from first principles 期刊论文 physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 195206 Shi LJ; Zhu LF; Zhao YH; Liu BG 收藏  |  浏览/下载：217/56  |  提交时间：2010/03/08 ab initio calculations  aluminium compounds  annealing  band structure  chromium  Curie temperature  density functional theory  exchange interactions (electron)  ferromagnetic materials  III-V semiconductors  semimagnetic semiconductors  total energy  vacancies (crystal)   High-temperature AlN interlayer for crack-free AlGaN growth on GaN 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: art. no. 043516 Sun, Q; Wang, JT; Wang, H; Jin, RQ; Jiang, DS; Zhu, JJ; Zhao, DG; Yang, H; Zhou, SQ; Wu, MF; Smeets, D; Vantomme, A 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/03/08 STRESS  SI(111)  REDUCTION  THICKNESS   Investigation on the structural origin of n-type conductivity in InN films 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: art. no. 135403 Wang, H; Jiang, DS; Wang, LL; Sun, X; Liu, WB; Zhao, DG; Zhu, JJ; Liu, ZS; Wang, YT; Zhang, SM; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：53/1  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAN FILMS  DISLOCATION SCATTERING  LAYER THICKNESS  INDIUM NITRIDE  BAND-GAP  VACANCIES