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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2008    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 基于STBC与V-BALST的虚拟MIMO方案研究 期刊论文 电子技术应用, 2008, 期号: 05 邱云周; 丁盛; 严凯; 王营冠; 刘海涛 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/01/06 SOI  吸杂  离子注入  纳米孔   高压双扩散漏端MOS晶体管双峰衬底电流的形成机理及其影响 期刊论文 物理学报, 2008, 期号: 07 王俊; 王磊; 董业民; 邹欣; 邵丽; 李文军; 杨华岳 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/01/06 离子注入  光致发光  量子阱互混   基于无线传感网扩频通信的跨层CSMA多用户接入 期刊论文 光学精密工程, 2008, 期号: 02 付耀先; 姜华; 刘海涛 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/01/06 电致发光器件结构  电流限制孔径  离子注入   无线传感网低功耗Rake接收机VLSI设计与实现 期刊论文 电子与信息学报, 2008, 期号: 08 全源源; 王沛; 何洪路; 袁晓兵; 朱明华 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/01/06 绝缘层上硅  离子注入  注氧隔离  薄层转移   Research on metastable electron traps in the modified SOI materials induced by Si ion implantation 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 2008, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: L1-L4 Zhang, EX; Yu, ZS; Cao, YG; Yang, H; Zhang, ZX; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2011/11/04 SIMOX BURIED OXIDES  RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  RADIATION RESPONSE  OXYGEN  INSULATOR   Research on total-dose hardening for H-gate PD NMOSFET/SIMOX by ion implanting into buried oxide 期刊论文 CHINESE PHYSICS C, 2008, 卷号: 32, 期号: 2, 页码: 130-134 Qian, C; Zhang, ZX; Zhang, F; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 SILICON  NANOCRYSTALS  TRAPS  SIO2  PHOTOLUMINESCENCE  IMPLANTATION  CHARGE