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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Tuning of energy levels and optical properties of graphene quantum dots 期刊论文 physical review b, 2008, 卷号: 77, 期号: 23, 页码: art. no. 235411 Zhang ZZ; Chang K 收藏  |  浏览/下载：48/1  |  提交时间：2010/03/08 BLOCH ELECTRONS   Spin states and persistent currents in a quantum ring with an embedded magnetic impurity 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 2008, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: art. no. 025222 Sheng JS; Chang K 收藏  |  浏览/下载：38/3  |  提交时间：2010/03/08 D EXCHANGE INTERACTION   Spin states in semiconductor quantum dot with a single magnetic ion 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 10, 页码: 3097-3106 Li XJ; Yang W; Chang K; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/03/08 quantum dot   Photoluminescence energy and fine structure splitting in single quantum dots by uniaxial stress 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1120-1123 Dou, XM; Sun, BQ; Wang, BR; Ma, SS; Zhou, R; Huang, SS; Ni, HQ; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：50/2  |  提交时间：2010/03/08 EXCHANGE INTERACTION  GAAS  PRESSURE  DEPENDENCE  AMPLIFIERS  ELECTRON  EMISSION  EXCITONS  PHOTONS  SPECTRA   Influence of V/III ratio on the structural and photoluminescence properties of In0.52AlAs/In0.53GaAs metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1119-1123 Gao, HL; Zeng, YP; Wang, BQ; Zhu, ZP; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：54/6  |  提交时间：2010/03/08 molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  high electron mobility transistors   Theoretical design and performance of InxGa1-xN two-junction solar cells 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 24, 页码: art. no. 245104 Zhang, XB; Wang, XL; Xiao, HL; Yang, CB; Ran, JX; Wang, CM; Hou, QF; Li, JM; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：29/2  |  提交时间：2010/03/08 IN1-XGAXN ALLOYS  BAND-GAP  IRRADIANCE  SINGLE  INN