QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electroluminescence from nano-crystalline Si/SiO2 structures embedded in pn junctions 期刊论文 superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 160-165 Chen DY; Wang X; Wei DY; Wang T; Xu J; Ma ZY; Li W; Chen KJ; Shi WH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2010/03/08 PECVD   MOCVD growth of InN using a GaN buffer 期刊论文 superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 43, 期号: 2, 页码: 81-85 作者:  Yang H;  Wang LL;  Wang H;  Yang H;  Zhu JJ 收藏  |  浏览/下载：51/1  |  提交时间：2010/03/08 surface   The effect of low temperature AlN interlayers on the growth of GaN epilayer on Si (111) by MOCVD 期刊论文 superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 153-159 Luo, WJ; Wang, XL; Guo, LC; Xiao, HL; Wang, CM; Ran, JX; Li, JP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：83/1  |  提交时间：2010/03/08 gallium nitride crack  low temperature aluminum nitride  interlayer  silicon