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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Single-photon source in strong photon-atom interaction regime in quasiperiodic photonic crystals 期刊论文 epl, 2008, 卷号: 84, 期号: 6, 页码: art. no. 67003 Xu XS; Chen HD; Yamada T; Otomo A 收藏  |  浏览/下载：382/110  |  提交时间：2010/03/08 BAND-GAP MATERIALS  SPONTANEOUS EMISSION  QUANTUM-DOT  FLUORESCENCE   Effect on nitrogen acceptor as Mg is alloyed into ZnO 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 6, 页码: art. no. 062110 Gai, YQ; Yao, B; Wei, ZP; Li, YF; Lu, YM; Shen, DZ; Zhang, JY; Zhao, DX; Fan, XW; Li, JB; Xia, JB 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/03/08 P-TYPE ZNO  II-VI  BAND-GAP  SEMICONDUCTORS  FILMS  MGXZN1-XO  EPITAXY   p-type doping of GaInNAs quaternary alloys 期刊论文 physics letters a, 2008, 卷号: 373, 期号: 1, 页码: 165-168 Shi HL; Duan YF 收藏  |  浏览/下载：234/53  |  提交时间：2010/03/08 First-principles  Alloy  Doping  Formation energy  Transition energy  Band offset   First-principles study of transition metal impurities in Si 期刊论文 physical review b, 2008, 卷号: 77, 期号: 15, 页码: art. no. 155201 Zhang ZZ; Partoens B; Chang K; Peeters FM 收藏  |  浏览/下载：61/7  |  提交时间：2010/03/08 SILICON   Mg acceptor energy levels in AlxInyGa1-x-yN quaternary alloys: An approach to overcome the p-type doping bottleneck in nitrides 期刊论文 physical review b, 2008, 卷号: 77, 期号: 11, 页码: art. no. 113202 Wang, F; Li, JB; Li, SS; Xia, JB; Wei, SH 收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2010/03/08 SPECIAL QUASIRANDOM STRUCTURES  AUGMENTED-WAVE METHOD  BASIS-SET  SEMICONDUCTORS  LATTICE