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浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Controllable electron g-factors in HgMnTe quantum spheres 期刊论文 epl, 2008, 卷号: 82, 期号: 3, 页码: art. no. 37004 Zhu, YH; Xia, JB 收藏  |  浏览/下载：45/4  |  提交时间：2010/03/08 DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS  SPIN  HG1-XMNXTE  MAGNETOABSORPTION  NANOCRYSTALS  TEMPERATURE  CD1-XMNXTE  EXCHANGE  DOTS   Optical properties of InGaAs/GaAs quantum chains 期刊论文 acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 3, 页码: 1908-1912 Wang, BR; Sun, Z; Xu, ZY; Sun, BQ; Ji, Y; Wang, ZM; Salamo, GJ 收藏  |  浏览/下载：67/1  |  提交时间：2010/03/08 InGaAs/GaAs  quantum dots  quantum chains   Influence of spacer layer thickness on the current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunnelling diodes 期刊论文 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 1472-1474 Zhang, Y; Han, CL; Gao, JF; Zhu, ZP; Wang, BQ; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：55/6  |  提交时间：2010/03/08 resonant tunnelling diode  molecular beam epitaxy   Raman and infrared properties and layer dependence of the phonon dispersions in multilayered graphene 期刊论文 physical review b, 2008, 卷号: 77, 期号: 23, 页码: art. no. 235421 Jiang, JW; Tang, H; Wang, BS; Su, ZB 收藏  |  浏览/下载：72/11  |  提交时间：2010/03/08 LATTICE-DYNAMICS  GRAPHITE  FILMS   Effect of electron-electron scattering on spin dephasing in a high-mobility low-density two-dimensional electron gas 期刊论文 physical review b, 2008, 卷号: 77, 期号: 19, 页码: art. no. 193307 Ruan, XZ; Luo, HH; Ji, Y; Xu, ZY; Umansky, V 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/03/08 QUANTUM-WELL  SYSTEMS  GAAS  SEMICONDUCTORS  RELAXATION   Temperature dependence of photoluminescence from single and ensemble InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3440-3443 Dou, XM; Sun, BQ; Xiong, YH; Huang, SS; Ni, HQ; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：69/1  |  提交时间：2010/03/08 CARRIER RELAXATION  ENERGY RELAXATION  LINE-SHAPE  EMISSION  DENSITY   Dependence of current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunnelling diodes on quantum well widths 期刊论文 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 4645-4647 作者:  Zhang Y;  Zhang Y 收藏  |  浏览/下载：268/32  |  提交时间：2010/03/08 resonant tunnelling diode  molecular beam epitaxy   Circular photogalvanic effect at inter-band excitation in InN 期刊论文 solid state communications, 2008, 卷号: 145, 期号: 4, 页码: 159-162 Zhang, Z; Zhang, R; Liu, B; Xie, ZL; Xiu, XQ; Han, R; Lu, H; Zheng, YD; Chen, YH; Tang, CG; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：67/2  |  提交时间：2010/03/08 InN  photogalvanic  inter-band transition   Photoluminescence energy and fine structure splitting in single quantum dots by uniaxial stress 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1120-1123 Dou, XM; Sun, BQ; Wang, BR; Ma, SS; Zhou, R; Huang, SS; Ni, HQ; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：50/2  |  提交时间：2010/03/08 EXCHANGE INTERACTION  GAAS  PRESSURE  DEPENDENCE  AMPLIFIERS  ELECTRON  EMISSION  EXCITONS  PHOTONS  SPECTRA   Structural, electrical, and optical properties of InAsxSb1-x epitaxial films grown by liquid-phase epitaxy 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 7, 页码: art. no. 073712 作者:  Wang Y;  Zhang XW;  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY