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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of Interface Roughness and Dislocation Density on Electroluminescence Intensity of InGaN Multiple Quantum Wells 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4143-4146 Zhao, DG; Jiang, DS; Zhu, JJ; Liu, ZS; Zhang, SM; Wang, YT; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/03/08 X-RAY-DIFFRACTION  EPITAXIAL GAN  DEPENDENCE  PHOTOLUMINESCENCE  GROWTH  FILMS